| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·GaN 材料简介 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结微波功率的优势 | 第11-13页 |
| ·本文的研究背景与内容安排 | 第13-16页 |
| 第二章 GaN 基异质结的相关基础研究 | 第16-28页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的能带结构 | 第16-17页 |
| ·AlxGa1-xN/GaN 异质结的极化电荷 | 第17-21页 |
| ·2DEG 的密度 | 第19-20页 |
| ·2DEG 的迁移率 | 第20-21页 |
| ·AlxGa1-xN/GaN 异质结2DEG 的经典输运性质 | 第21-24页 |
| ·AlN 阻挡层对AlGaN/GaN 异质结性能的影响 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-28页 |
| 第三章 二维电子气系统的磁输运理论 | 第28-36页 |
| ·2DEG 的经典输运理论 | 第28-29页 |
| ·2DEG 的磁量子输运理论 | 第29-33页 |
| ·二维电子气的朗道能级 | 第29-30页 |
| ·量子Hall 效应 | 第30-33页 |
| ·2DEG 中的相干散射现象 | 第33-36页 |
| 第四章 AlGaN/AlN/GaN 异质结构材料制备和磁输运测量 | 第36-50页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 异质结构的制备 | 第36-38页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 异质结构的表征 | 第38-40页 |
| ·Hall bar 器件的制作 | 第40-43页 |
| ·磁输运测试系统和测量方法 | 第43-47页 |
| ·测试系统 | 第43-45页 |
| ·测量方法 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-50页 |
| 第五章 AlGaN/AlN/GaN 异质结构 SdH 振荡研究 | 第50-64页 |
| ·样品结构和实验 | 第51-52页 |
| ·磁阻SdH 振荡研究 | 第52-56页 |
| ·2DEG 的有效质量 | 第56-57页 |
| ·2DEG 的散射机制 | 第57-59页 |
| ·温度为2K 时的SdH 振荡和量子霍尔平台 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 结束语 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 研究成果 | 第74-75页 |
