| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·GaN 在微波功率器件中的应用 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料及AlGaN/GaN HEMT 的发展历程 | 第12-14页 |
| ·III 族氮化物材料的一些基本性质 | 第14-16页 |
| ·我校的GaN 基材料与器件研究现状及展望 | 第16-18页 |
| ·本论文的研究目的及各章节撰写安排 | 第18-21页 |
| 第二章 GaN 基材料生长及表征 | 第21-35页 |
| ·MOCVD 外延技术 | 第21-26页 |
| ·MOCVD 外延GaN 薄膜的反应过程 | 第21-24页 |
| ·异质外延生长的基本模式 | 第24-25页 |
| ·基于MOCVD 设备的GaN 外延工艺流程 | 第25-26页 |
| ·HVPE 和MBE 技术 | 第26页 |
| ·GaN 材料的表征 | 第26-33页 |
| ·X 射线衍射测试 | 第27-28页 |
| ·范德堡霍尔测量 | 第28-31页 |
| ·电容-电压测试 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 本征GaN 层漏电问题及高阻实现方法 | 第35-53页 |
| ·GaN 缓冲层漏电特性的表征方法 | 第36-40页 |
| ·CV 测试表征GaN 缓冲层漏电 | 第36-38页 |
| ·台面隔离测试 | 第38-39页 |
| ·SIMS 测试 | 第39-40页 |
| ·GaN 缓冲层内非故意掺杂杂质起源 | 第40-41页 |
| ·掩埋电荷层抑制方案 | 第41-48页 |
| ·高温下GaN 材料高阻实现方案 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 异质结构的最优化设计与生长 | 第53-79页 |
| ·GaN 基HEMT 中2DEG 的散射机制 | 第54-58页 |
| ·声子散射 | 第54-55页 |
| ·合金无序散射 | 第55-56页 |
| ·界面粗糙度散射 | 第56页 |
| ·电离杂质散射 | 第56-57页 |
| ·背景残余杂质散射 | 第57页 |
| ·位错散射 | 第57页 |
| ·电偶极子位错散射 | 第57-58页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构优化设计 | 第58-69页 |
| ·AlN 插入层优化 | 第59-61页 |
| ·AlGaN 势垒层优化 | 第61-69页 |
| ·GaN 帽层的应用及其在HEMT 器件中的作用 | 第69-72页 |
| ·基于SiC 衬底上的GaN 外延薄膜的应力分析 | 第72-74页 |
| ·基于大直径衬底上的GaN 基HEMT 材料外延生长研究 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 结论 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第89-91页 |
