异质栅器件的短沟道效应研究

摘要	第1-4页
ABSTRACT	第4-7页
第一章 绪论	第7-13页
·研究背景	第7-9页
·异质栅器件的国内外研究进展	第9-11页
·主要内容	第11-13页
第二章 器件结构与物理模型的建立	第13-27页
·器件结构的建立与结构参数的选取	第13-14页
·器件结构的建立	第13-14页
·结构参数的选取	第14页
·基于ISE-TCAD 物理模型的选取	第14-25页
·ISE-TCAD 软件简介	第14-19页
·物理模型选取	第19-25页
·本章小结	第25-27页
第三章 异质栅器件的输出特性分析	第27-37页
·载流子过冲效应	第27-30页
·载流子速度过冲效应理论基础	第27-28页
·HMGFET 中的载流子速度过冲研究	第28-30页
·异质栅（HMGFET）的输出特性曲线	第30-34页
·MOS 器件输出特性曲线简介	第30-31页
·异质栅器件(HMGFET)的输出特性曲线	第31-34页
·本章小结	第34-37页
第四章 三异质栅器件的短沟道效应研究	第37-49页
·三异质栅器件的阈值电压特性	第37-40页
·短沟道器件的阈值电压模型	第37-39页
·三异质栅器件的阈值漂移特性	第39-40页
·漏致势垒降低（DIBL）效应	第40-44页
·漏致势垒降低效应简介	第40-42页
·漏致势垒降低(DIBL)效应理论分析	第42-43页
·三异质栅器件的漏致势垒降低（DIBL）特性分析	第43-44页
·三异质栅器件的亚阈值性能分析	第44-48页
·亚阈值斜率	第44-45页
·三异质栅器件的亚阈值斜率	第45-48页
·本章小结	第48-49页
第五章 总结	第49-51页
致谢	第51-53页
参考文献	第53-57页