| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·宽禁带半导体材料的优势 | 第7-9页 |
| ·4H-SiC JBS 器件的研究意义及进展 | 第9-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 4H-SiC JBS 器件的原理及模型参数 | 第13-21页 |
| ·功率二极管简介 | 第13-16页 |
| ·功率二极管分类 | 第13-15页 |
| ·4H-SiC JBS 器件的工作原理 | 第15-16页 |
| ·4H-SiC 的材料参数及物理模型 | 第16-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 4H-SiC JBS 器件结终端技术的研究 | 第21-41页 |
| ·击穿电压的影响因素 | 第21-23页 |
| ·击穿机理 | 第21-22页 |
| ·结终端技术 | 第22-23页 |
| ·具有平面终端结构的4H-SiC JBS 器件 | 第23-37页 |
| ·具有场板结构的4H-SiC JBS 器件 | 第24-27页 |
| ·具有场限环结构的4H-SiC JBS 器件 | 第27-29页 |
| ·具有结终端扩展结构的4H-SiC JBS 器件 | 第29-33页 |
| ·具有复合型终端结构的4H-SiC JBS 器件 | 第33-37页 |
| ·器件的工艺流程 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 具有埋层结构的4H-SiC JBS 器件的研究 | 第41-55页 |
| ·JBS 器件的新型结构 | 第41-43页 |
| ·浮结型埋层结构对器件击穿特性的影响 | 第43-50页 |
| ·浮结型埋层的原理 | 第43-44页 |
| ·浮结型埋层结构的优化与分析 | 第44-50页 |
| ·埋层结构对器件反向漏电流的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目及完成的学术论文 | 第63-64页 |
