掺N的4H-SiC第一性原理研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-15页
·研究背景	第7-9页
·SiC 多型体	第9-11页
·SiC 应用现状	第11-12页
·本文的主要内容	第12-15页
第二章 第一性原理基础	第15-27页
·第一性原理简介	第16-17页
·Hartree-Fock 近似	第17-20页
·密度泛函理论	第20-27页
·密度泛函理论综述	第20-21页
·Hohenberg- Kohn 定理	第21-24页
·Kohn-Sham 方程	第24-26页
·近似方法	第26-27页
第三章 第一性原理应用现状	第27-33页
·软件方面	第27-30页
·ABINIT	第27-28页
·VASP	第28-29页
·Materials Studio	第29-30页
·硬件方面	第30-33页
第四章 收敛性测试	第33-43页
·4H-SiC 晶胞	第33-34页
·4H-SiC 的超晶胞	第34-37页
·截止能	第37-39页
·k 点取样测试	第39页
·赝势	第39-40页
·近似方法	第40页
·测试结果	第40-43页
第五章 掺N 的4H-SiC 电子结构	第43-59页
·形成能	第43-46页
·能带结构	第46-50页
·状态密度	第50-54页
·光学性质	第54-59页
第六章 结论与展望	第59-61页
致谢	第61-63页
参考文献	第63-67页