| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-17页 |
| ·课题背景 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-15页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 2 Si(111)衬底外延制备六方 GaN 薄膜及表征 | 第17-35页 |
| ·GaN 薄膜制备 | 第17-19页 |
| ·GaN 材料特性 | 第17页 |
| ·Si 衬底选择 | 第17-18页 |
| ·Si 衬底上外延 GaN 面临的问题和解决方法 | 第18页 |
| ·利用MOCVD 工艺制备GaN 薄膜 | 第18-19页 |
| ·GaN 薄膜的分析与表征 | 第19-23页 |
| ·GaN 薄膜表面形貌观测分析 | 第20页 |
| ·样品横截面扫描电子显微镜(SEM)观测分析 | 第20-21页 |
| ·GaN 薄膜表面原子力显微镜(AFM)观测分析 | 第21-22页 |
| ·GaN 薄膜 X-射线衍射(XRD)测试分析 | 第22-23页 |
| ·GaN 薄膜 Raman 光谱测试分析 | 第23页 |
| ·GaN 晶体生长质量分析 | 第23-28页 |
| ·GaN 外延薄膜晶格参数的精确测量 | 第24页 |
| ·GaN 外延膜和 Si 衬底的应变计算 | 第24-25页 |
| ·GaN 外延膜晶体位错密度分析 | 第25-28页 |
| ·GaN 薄膜应力表征 | 第28-34页 |
| ·Raman 光谱频移理论基础 | 第29-30页 |
| ·应力表征测试与分析 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 Si 悬臂梁结构与 GaN/AlGaN-HEMT 器件集成设计与加工 | 第35-53页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 工作原理 | 第35-37页 |
| ·Si 悬臂梁结构与GaN/AlGaN-HEMT 器件集成的设计 | 第37-49页 |
| ·设计原则 | 第37-43页 |
| ·结构设计原则 | 第37页 |
| ·结构参数设定 | 第37-38页 |
| ·ANSYS 结构仿真分析 | 第38-43页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件集成设计与加工工艺设计 | 第43-49页 |
| ·集成设计原则设计 | 第43-44页 |
| ·Si 基微机械加工技术介绍 | 第44-45页 |
| ·HEMT 微加速度计关键工艺设计 | 第45-49页 |
| ·器件加工完成测试 | 第49-52页 |
| ·HEMT 基本输出特性测试 | 第49-50页 |
| ·微结构应力测试 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 Si 基 GaN/AlGaN-HEMT 器件温度特性与应力特性研究 | 第53-71页 |
| ·HEMT 器件温度特性研究 | 第53-58页 |
| ·HEMT 器件温度特性理论分析 | 第53-55页 |
| ·温度特性实验与结果分析 | 第55-58页 |
| ·HEMT 器件应力特性研究 | 第58-70页 |
| ·应力对GaN/AlGaN-HEMT 器件极化效应影响的理论分析 | 第58-63页 |
| ·实验结果分析 | 第63-70页 |
| ·研究前景 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 5 Si 基 GaN/AlGaN-HEMT 输出特性的模型研究 | 第71-73页 |
| ·Si 基 HEMT 器件输出特性模型建立 | 第71-72页 |
| ·温度特性因子 | 第71-72页 |
| ·应力特性因子 | 第72页 |
| ·总模型建立 | 第72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 6 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
