新型SiC光导开关特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·光导开关发展历史 | 第7-8页 |
| ·光导开关的研究现状及应用前景 | 第8-10页 |
| ·本文的研究意义 | 第10-12页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第12-15页 |
| 第二章 光导开关工作原理及衬底材料特性研究 | 第15-25页 |
| ·光导开关的工作原理及分类 | 第15-17页 |
| ·光导开关的工作原理 | 第15页 |
| ·光导开关的分类 | 第15-17页 |
| ·光导开关的两种工作模式 | 第17-19页 |
| ·光导开关的线性工作模式 | 第18页 |
| ·光导开关的非线性工作模式 | 第18-19页 |
| ·光导开关材料特性 | 第19-22页 |
| ·SiC 材料的生长技术 | 第20-21页 |
| ·β-SiC/α-SiC 的异质外延技术 | 第21-22页 |
| ·本章 小结 | 第22-25页 |
| 第三章 光导开关输出特性的理论研究 | 第25-45页 |
| ·SiC 光导开关输出特性的理论分析 | 第25-27页 |
| ·SiC 光导开关的电路结构 | 第25-26页 |
| ·SiC 光导开关的电路分析 | 第26-27页 |
| ·SiC 光导开关的关键参数确定 | 第27-36页 |
| ·SiC 光导开关等效电路时变电阻的求解 | 第27-33页 |
| ·SiC 光导开关间隙电容的求解 | 第33-36页 |
| ·碳化硅光导开关的特性研究 | 第36-41页 |
| ·载流子浓度的变化规律 | 第36-38页 |
| ·激发光波长对器件特性的影响 | 第38-39页 |
| ·激发光强对器件特性的影响 | 第39-40页 |
| ·开关电极间隙对器件特性的影响 | 第40页 |
| ·不同偏压对器件特性的影响 | 第40-41页 |
| ·光导开关频谱特性分析 | 第41-44页 |
| ·碳化硅光导开关输出特性的傅里叶表征 | 第41-42页 |
| ·碳化硅光导开关的频谱特性 | 第42-44页 |
| ·本章 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 光导开关的制备工艺规划 | 第45-53页 |
| ·制备3C-SiC 光导开关的关键技术 | 第45-48页 |
| ·金属-碳化硅接触势垒 | 第45-46页 |
| ·金属半导体接触的载流子输运过程 | 第46-47页 |
| ·比接触电阻ρ_c | 第47-48页 |
| ·具体的工艺步骤 | 第48-51页 |
| ·β -SiC 光导开关一般制备工艺流程设计 | 第48-50页 |
| ·制备碳化硅光导开关的流程框图 | 第50-51页 |
| ·本章 小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·后续工作设想 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
