双轴应变硅MOS器件的自热效应研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·应变硅技术的研究目的与发展现状 | 第7-8页 |
| ·应变硅技术研究目的 | 第7-8页 |
| ·应变硅技术的发展现状 | 第8页 |
| ·应变硅MOS器件自热效应的研究意义 | 第8-9页 |
| ·本文的主要工作及内容安排 | 第9-11页 |
| 第二章 应变硅MOS器件的物理特性 | 第11-23页 |
| ·应变硅中载流子迁移率增强机理 | 第11-17页 |
| ·张应力下电子迁移率的增强 | 第11-14页 |
| ·压应力下空穴迁移率的增强 | 第14-15页 |
| ·Si/SiGe界面的能带结构 | 第15-17页 |
| ·应变硅MOS器件结构 | 第17-21页 |
| ·应变硅MOS器件分类 | 第17-20页 |
| ·双轴应变硅材料位错分析 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 应变硅MOS器件热特性分析 | 第23-33页 |
| ·器件设计中的热特性 | 第23-25页 |
| ·体硅晶体管 | 第24页 |
| ·非传统晶体管 | 第24-25页 |
| ·半导体材料中的热产生和热传导 | 第25-27页 |
| ·准弹道二极管的热仿真 | 第27-32页 |
| ·漏端焦耳热 | 第28-31页 |
| ·源的电热冷却 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 双轴应变硅MOS器件热阻模型的建立 | 第33-47页 |
| ·硅材料的高温热导率模型 | 第33-39页 |
| ·高温下纯净体硅的热导率 | 第34-35页 |
| ·高温下掺杂体硅的热导率 | 第35-37页 |
| ·高温下纯净薄硅层的热导率 | 第37-38页 |
| ·高温下掺杂薄硅层的热导率 | 第38-39页 |
| ·金属界面热阻 | 第39-41页 |
| ·MOSFET边界热阻 | 第39-40页 |
| ·MOSFET接触和通孔热阻 | 第40-41页 |
| ·双轴应变硅MOSFET的热阻模型及模型验证结果 | 第41-44页 |
| ·双轴应变硅MOSFET的热阻模型 | 第41-43页 |
| ·模型验证结果 | 第43-44页 |
| ·双轴应变硅MOSFET的结构优化 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 薄虚拟衬底应变硅MOS器件的研究 | 第47-61页 |
| ·薄虚拟衬底制造工艺 | 第47-51页 |
| ·低温生长 | 第47-48页 |
| ·C掺杂 | 第48-49页 |
| ·He离子注入 | 第49-51页 |
| ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的电热特性 | 第51-54页 |
| ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的自热效应 | 第51-53页 |
| ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的击穿特性 | 第53-54页 |
| ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的栅漏特性 | 第54-59页 |
| ·栅漏电流模型 | 第54-57页 |
| ·应力导致栅漏电流特性 | 第57页 |
| ·栅漏电流的产生机理 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 研究成果 | 第69-70页 |
