| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·功率电子学发展现状 | 第7-8页 |
| ·碳化硅功率MOSFET的研究意义及发展现状 | 第8-11页 |
| ·本文的研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 碳化硅功率MOSFET 器件基础 | 第13-29页 |
| ·碳化硅晶体结构 | 第13-14页 |
| ·功率MOS器件基础 | 第14-21页 |
| ·功率DMOS结构以及工作原理 | 第14-18页 |
| ·功率DMOS导通电阻 | 第18-20页 |
| ·MOS界面和迁移率 | 第20-21页 |
| ·功率MOSFET典型结构 | 第21-23页 |
| ·ISE-TCAD仿真中4H-SiC 材料参数及物理模型 | 第23-27页 |
| ·DESSIS仿真工具及求解基本方程 | 第23-24页 |
| ·4H-SiC物理模型和材料参数的选取 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 新型碳化硅功率MOSFET结构 | 第29-37页 |
| ·双外延(DEMOSFET)结构 | 第29-31页 |
| ·注入外延(IEMOSFET)结构 | 第31-33页 |
| ·积累沟道(ACCUFET)结构 | 第33-36页 |
| ·超级结结构 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 新型碳化硅功率MOSFET的优化设计 | 第37-49页 |
| ·积累型IEMOS结构 | 第37-42页 |
| ·4H-SiC积累型IEMOS结构设计 | 第37-38页 |
| ·4H-SiC积累型IEMOS结构仿真结果及分析 | 第38-42页 |
| ·上外延沟道IEMOS结构 | 第42-45页 |
| ·4H-SiC上外延沟道IEMOS结构设计 | 第42-43页 |
| ·4H-SiC上外延沟道IEMOS结构仿真结果及分析 | 第43-45页 |
| ·上外延沟道超级结结构 | 第45-47页 |
| ·上外延沟道超级结结构设计 | 第45页 |
| ·上外延沟道超级结结构仿真结果及分析 | 第45-47页 |
| ·三种结构优缺点比较 | 第47-49页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第49-51页 |
| ·本文工作总结 | 第49-50页 |
| ·课题展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |