| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 研究进展 | 第7-10页 |
| ·氮化镓材料及AlGaN/GaN HEMTs 在微波功率器件的优势 | 第7-8页 |
| ·GaN HEMTs 器件发展与面临的问题 | 第8-10页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMTs | 第10-12页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMTs 的研究背景 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文研究内容与安排 | 第12-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 器件设计与制备工艺 | 第15-29页 |
| ·基于Silvaco 仿真系统的器件设计技术 | 第15-20页 |
| ·Atlas 器件仿真及模型 | 第15-16页 |
| ·凹槽栅深度对GaN HEMTs 器件特性的影响 | 第16-18页 |
| ·凹槽栅深度对GaN MOS-HEMTs 器件特性的影响 | 第18-20页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料中的极化效应和2DEG 的来源 | 第20-22页 |
| ·凹槽栅MOS-HEMTs 器件的工艺流程 | 第22-25页 |
| ·栅介质材料及其生长工艺 | 第25-27页 |
| ·栅介质的选择和A1_20_3 的优缺点 | 第25-26页 |
| ·ALD 生长栅介质A1_20_3 | 第26-27页 |
| ·栅介质的质量评估 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 凹槽栅结构MOS-HEMTs 器件性能分析 | 第29-55页 |
| ·器件工作机理 | 第29-31页 |
| ·器件的直流特性 | 第29-30页 |
| ·实验方案和测试方法 | 第30-31页 |
| ·AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 器件的直流特性分析 | 第31-40页 |
| ·AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 器件CV 特性的分析 | 第31-36页 |
| ·AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 器件的直流特性 | 第36-39页 |
| ·AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 器件击穿特性的分析 | 第39-40页 |
| ·AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 器件的电流崩塌特性 | 第40-41页 |
| ·AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 器件的频率特性 | 第41-43页 |
| ·凹槽栅MOS-HEMTs 器件的大信号特性测量 | 第43-44页 |
| ·Load-Pull 功率测量系统 | 第43页 |
| ·凹槽栅MOS-HEMTs 器件大信号特性分析 | 第43-44页 |
| ·AlGaN/GaN 凹槽栅MOS-HEMTs 的电学可靠性分析 | 第44-53页 |
| ·开态应力下器件的退化研究和机制分析 | 第46-50页 |
| ·关态应力下器件的退化研究和机制分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 凹槽栅结构MOS-HEMTs 器件的优化 | 第55-73页 |
| ·等离子体预处理对材料界面和器件特性的提高 | 第55-59页 |
| ·AlGaN 势垒层的表面态 | 第55-56页 |
| ·表面预处理减小AlGaN 势垒层的表面态 | 第56页 |
| ·表面预处理对常规HEMT 结构电容的影响 | 第56-57页 |
| ·表面预处理对常规HEMT 肖特基特性的影响 | 第57-58页 |
| ·表面预处理对常规HEMT 器件直流特性的影响 | 第58-59页 |
| ·AlGaN 缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs 器件的制备和性能分析 | 第59-70页 |
| ·器件直流特性分析 | 第61-62页 |
| ·器件电流崩塌特性分析 | 第62-64页 |
| ·器件频率特性分析 | 第64-65页 |
| ·器件的功率特性分析 | 第65-66页 |
| ·器件的电学应力可靠性研究 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-73页 |
| 第五章 结束语 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第83-84页 |
