| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·G aN 材料的优势及应用领域 | 第8-13页 |
| ·G aN 材料的优势 | 第8-12页 |
| ·G aN 材料的应用 | 第12-13页 |
| ·A l Ga N 合金及应用 | 第13-15页 |
| ·G aN 和A l Ga N 基器件的发展历程 | 第15-17页 |
| ·论文的研究内容和安排 | 第17-20页 |
| 第二章 输运特性研究方法和进展 | 第20-30页 |
| ·实验法 | 第20-24页 |
| ·低场迁移率实验测量研究进展 | 第20-23页 |
| ·高场迁移率实验测量研究进展 | 第23-24页 |
| ·M o n te C a r lo 方法研究进展 | 第24-26页 |
| ·理论计算方法研究进展 | 第26-28页 |
| ·几个经典负微分迁移率模型架构的介绍和简单比较 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 建模过程和讨论 | 第30-46页 |
| ·低场迁移率模型 | 第30-33页 |
| ·G aN 低场迁移率模型 | 第30-31页 |
| ·Al GN 低场迁移率模型 | 第31-33页 |
| ·Ga N 和A lG aN 高场迁移率模型 | 第33-42页 |
| ·G aN 高场迁移率的温度效应模型 | 第33-37页 |
| ·全Al 组分A l G aN 高场迁移率模型 | 第37-38页 |
| ·合金效应模型建立和引入 | 第38-42页 |
| ·A l Ga N 模型中温度效应引入 | 第42页 |
| ·模型的优越性总结 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 G aN 基G un n 器件设计和模型的应用 | 第46-56页 |
| ·G u nn 二极管工作原理和器件仿真说明 | 第47-49页 |
| ·G u nn 振荡原理 | 第47-48页 |
| ·仿真方法和器件性能参数的说明 | 第48-49页 |
| ·结构优化 | 第49-52页 |
| ·温度和合金无序效应对器件性能的影响 | 第52-55页 |
| ·温度对器件性能的影响 | 第53-54页 |
| ·合金对器件性能的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第66-67页 |