首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

GaAs基共振隧穿二极管的材料结构研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·论文研究意义第9页
   ·RTD 发展历史第9-10页
   ·RTD 的应用现状第10-13页
第二章 RTD 材料结构设计理论分析第13-22页
   ·RTD 相关理论第13-18页
     ·共振隧穿原理第13-16页
     ·共振隧穿模型理论第16-18页
   ·GaAs 材料的特性第18-19页
   ·RTD 结构性能影响参数第19-22页
第三章 RTD 层结构与传感器结构设计及其加工工艺第22-36页
   ·RTD 层结构设计第22-24页
   ·RTD 传感器结构设计及其加工工艺第24-36页
     ·RTD 加工关键技术第24-26页
     ·传感器结构设计及说明第26-30页
     ·敏感单元设计第30-31页
     ·RTD 加工工艺第31-36页
第四章 RTD 测试实验及结果对比分析第36-55页
   ·RTD 结构性能测试实验第36-40页
     ·直流 I-V 特性测试实验第36-38页
     ·发射极面积与性能关系测试实验第38-40页
   ·RTD 结构稳定性测试实验第40-49页
     ·温度特性测试实验第40-44页
     ·串并联实验第44-49页
   ·RTD 传感器性能测试实验第49-55页
     ·电压输出灵敏度测试第49-53页
     ·线性度测试实验第53-55页
第五章 总结与展望第55-57页
   ·总结第55-56页
   ·展望第56-57页
参考文献第57-62页
攻读硕士期间主要研究工作及所取得成果第62-63页
致谢第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:大范围频率捷变信号发生技术研究
下一篇:建筑装修工程项目成本控制过程后评价研究