| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·GaN材料及异质结的研究进展 | 第9-10页 |
| ·GaN材料的特点 | 第9-10页 |
| ·GaN器件的应用和AlGaN/GaN HEMT的发展 | 第10页 |
| ·InAlN HEMT的研究进展 | 第10-12页 |
| ·InAlN/GaN HEMT的特点 | 第11页 |
| ·InAlN/GaN HEMT的研究进展 | 第11-12页 |
| ·GaN基 HEMT的表面态 | 第12页 |
| ·本文研究内容及安排 | 第12-15页 |
| 第二章 InAlN/GaN HEMT异质结以及制作流程 | 第15-27页 |
| ·AlGaN/GaN与InAlN/GaN异质结的极化 | 第15-18页 |
| ·AlGaN/GaN异质结的极化 | 第15-17页 |
| ·InAlN/GaN异质结的极化 | 第17-18页 |
| ·InAlN/GaN HEMT的工艺制作流程 | 第18-19页 |
| ·器件漏端结构的改进 | 第19-25页 |
| ·肖特基作漏端的基本原理 | 第20-21页 |
| ·肖特基作漏端的AlGaN/GaN HEMT的基本特性 | 第21-23页 |
| ·肖特基作漏对击穿电压的改善 | 第23-24页 |
| ·肖特基作漏的器件的频率特性 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 陷阱对InAlN/GaN HEMT的影响 | 第27-39页 |
| ·InAlN/GaN HEMT的基本特性 | 第27-31页 |
| ·InAlN/GaN HEMT的基本性能 | 第27-28页 |
| ·InAlN/GaN HEMT的频率性能 | 第28页 |
| ·InAlN/GaN HEMT的电流崩塌 | 第28-31页 |
| ·钝化对材料方块电阻的影响 | 第31-33页 |
| ·传输线模型测量方法 | 第31页 |
| ·钝化对InAlN/GaN材料方阻的影响 | 第31-32页 |
| ·钝化对AlGaN/GaN材料方阻的影响 | 第32-33页 |
| ·陷阱对肖特基电容-电压特性的影响 | 第33-37页 |
| ·CV滞后法 | 第33-35页 |
| ·光照对CV的影响 | 第35-36页 |
| ·不同频率下的CV特性 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 温度对器件陷阱和其它特性的影响 | 第39-53页 |
| ·温度对InAlN/GaN肖特基特性的影响 | 第39-41页 |
| ·温度对肖特基CV特性以及陷阱的影响 | 第39-40页 |
| ·温度对肖特基I-V特性的影响 | 第40-41页 |
| ·温度对InAlN/GaN HEMT器件陷阱和特性的影响 | 第41-46页 |
| ·温度对材料方阻和欧姆接触的影响 | 第42-43页 |
| ·温度对器件直流特性的影响 | 第43-45页 |
| ·温度对陷阱和电流崩塌的影响 | 第45-46页 |
| ·低温退火对InAlN/GaN HEMT器件性能的改善 | 第46-51页 |
| ·同一器件不同温度点的退火 | 第46-49页 |
| ·不同器件不同温度点的退火 | 第49-50页 |
| ·低温退火对器件其它性能的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 论文期间研究成果 | 第61-62页 |
