| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·SiC材料的基本特性 | 第7-8页 |
| ·SiC功率MOSFET器件和应用电路的研究现状 | 第8-12页 |
| ·SiC功率MOSFET的研究现状 | 第9-11页 |
| ·SiC功率MOSFET的应用及电路仿真模型 | 第11-12页 |
| ·本文主要研究工作 | 第12-13页 |
| 第二章 4H-SiC功率MOSFET结构及仿真模型 | 第13-25页 |
| ·适用于SiC功率MOSFET的几种结构 | 第13-18页 |
| ·ISE中4H-SiC MOSFET的物理模型及参数 | 第18-24页 |
| ·ISE-TCAD仿真工具 | 第18-19页 |
| ·主要的物理模型及参数 | 第19-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 4H-SiC 功率MOSFET的设计 | 第25-37页 |
| ·SiC MOSFET结构设计 | 第25-26页 |
| ·器件结构 | 第25-26页 |
| ·功率MOSFET导通电阻与击穿电压的关系 | 第26页 |
| ·SiC功率MOSFET击穿特性模拟 | 第26-29页 |
| ·p-base区掺杂与厚度的影响 | 第27-28页 |
| ·JFET区宽度对击穿电压的影响 | 第28页 |
| ·JFET区掺杂对击穿电压的影响 | 第28-29页 |
| ·SiC MOSFET的电流-电压特性 | 第29-36页 |
| ·SiC MOSFET的阈值电压 | 第30-32页 |
| ·SiC MOSFET I-V特性 | 第32-33页 |
| ·SiC MOSFET的导通电阻 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于4H-SiC MOSFET的Boost变换器设计 | 第37-53页 |
| ·开关电源电路基础 | 第37-42页 |
| ·开关电源的概念 | 第37-38页 |
| ·直流开关电源及其应用 | 第38页 |
| ·三种基本的DC-DC变换器拓扑 | 第38-42页 |
| ·SiC MOSFET和SBD的瞬态特性分析 | 第42-47页 |
| ·SiC MOSFET的瞬态特性模拟 | 第42-46页 |
| ·4H-SiC SBD的瞬态模拟仿真 | 第46-47页 |
| ·基于SiC MOSFET和SBD的Boost Converter设计 | 第47-52页 |
| ·DC-DC Boost Converter电路结构和在ISE-DESSIS中的表述 | 第48-49页 |
| ·连续模式的Boost变换器设计 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 研究总结 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
