| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-12页 |
| ·研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·本论文的结构 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-40页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·TiO_2的基本性质 | 第12-16页 |
| ·TiO_2的晶体结构和能带结构 | 第12-15页 |
| ·TiO_2的光电性能 | 第15页 |
| ·其它性能 | 第15-16页 |
| ·TiO_2的制备方法 | 第16-18页 |
| ·湿化学方法 | 第16-17页 |
| ·溅射法 | 第17页 |
| ·电子束蒸发(EBE) | 第17页 |
| ·离子镀(IP) | 第17页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第17-18页 |
| ·TiO_2薄膜的晶型 | 第18-19页 |
| ·TiO_2的表面结构和缺陷 | 第19-24页 |
| ·锐钛矿相TiO_2的表面结构和缺陷 | 第19-22页 |
| ·金红石相TiO_2的表面结构和缺陷 | 第22-24页 |
| ·TiO_2中的氧空位 | 第24-30页 |
| ·氧空位概述 | 第24-25页 |
| ·氧空位的表征 | 第25-29页 |
| ·提高氧空位浓度的方法 | 第29-30页 |
| ·TiO_2发光器件的研究进展 | 第30-38页 |
| ·液态TiO_2电致发光器件 | 第30-33页 |
| ·固态TiO_2电致发光器件 | 第33-36页 |
| ·硅基TiO_2电致发光器件 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| 第三章 TiO_2/p~+-Si异质结器件的制备和表征设备 | 第40-44页 |
| ·制备设备 | 第40-41页 |
| ·磁控溅射与电子束蒸发 | 第40-41页 |
| ·热处理设备 | 第41页 |
| ·表征与测试设备 | 第41-44页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第41页 |
| ·X射线衍射仪 | 第41-42页 |
| ·电学和光学测试设备 | 第42-44页 |
| 第四章 TiO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第44-54页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验 | 第45-47页 |
| ·硅片清洗 | 第45页 |
| ·制备TiO_2薄膜 | 第45页 |
| ·制备ITO电极 | 第45-46页 |
| ·制备Al电极 | 第46-47页 |
| ·溅射功率对Ti薄膜及其热氧化得到TiO_2薄膜形貌和晶型的影响 | 第47-48页 |
| ·溅射功率对TiO_2/p~+-Si异质结器件电致发光性能的影响 | 第48-49页 |
| ·Ti薄膜厚度对TiO_2/p~+-Si异质结的电致发光性能影响 | 第49-51页 |
| ·热处理时间对TiO_2/p~+-Si异质结的电致发光性能影响 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第五章 氢退火增强TiO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第54-66页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·氢退火处理方法 | 第54-55页 |
| ·氢退火增强异质结器件电致发光 | 第55-57页 |
| ·氢退火参数对TiO_2/p~+-Si异质结器件电致发光的影响 | 第57-59页 |
| ·氢气流量 | 第57页 |
| ·保温时间 | 第57-58页 |
| ·工作压强 | 第58-59页 |
| ·机理解释 | 第59-60页 |
| ·TiO_2薄膜厚度对氢退火处理增强效果的影响 | 第60-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第六章 全文总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 个人简介 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第78页 |
