| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·稀磁半导体磁性理论 | 第8页 |
| ·稀磁半导体的试验研究概况 | 第8-12页 |
| ·磁性3d 元素掺杂的ZnO | 第9-11页 |
| ·sp 元素掺杂或具有空位缺陷的ZnO | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体的理论研究概况 | 第12-13页 |
| ·平均场齐纳模型 | 第12页 |
| ·束缚磁极化子模型 | 第12-13页 |
| ·基于第一性原理计算的能带模型 | 第13页 |
| ·选题背景与所做的工作 | 第13-15页 |
| 第2章 理论研究方法 | 第15-21页 |
| ·单电子近似 | 第15-17页 |
| ·密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)简介 | 第17-19页 |
| ·赝势(Pseudopotential)方法 | 第19-21页 |
| 第3章 Ni掺杂ZnO半导体的铁磁性及其非磁性Cu掺杂调制作用 | 第21-27页 |
| ·计算方法 | 第21-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-26页 |
| ·Cu 和Ni 共掺ZnO 的铁磁性 | 第22-25页 |
| ·Cu 和Ni 共掺ZnO 的电子结构 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第4章 C掺杂ZnO半导体的铁磁性及其空位和掺杂调制效应 | 第27-34页 |
| ·计算方法与模型 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-33页 |
| ·空位调制下C 的磁矩变化及C 磁矩变化的机制 | 第28-31页 |
| ·替位杂质Li 和Al 调制ZnO:C 的磁性 | 第31-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第5章 总结与展望 | 第34-36页 |
| ·工作总结 | 第34页 |
| ·工作展望 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第42页 |
