| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-18页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物薄膜概述 | 第13-14页 |
| ·AlInN薄膜的研究现状 | 第14页 |
| ·AlInN薄膜的性质 | 第14-16页 |
| ·结构性质 | 第14-15页 |
| ·电学性质 | 第15页 |
| ·光学性质 | 第15-16页 |
| ·研究目的和主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 薄膜的制备方法及性质表征方法 | 第18-25页 |
| ·AlInN薄膜的制备方法 | 第18-19页 |
| ·溅射镀膜法 | 第18页 |
| ·热蒸发法 | 第18-19页 |
| ·分子束外延 | 第19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19页 |
| ·AlInN薄膜性质的表征方法 | 第19-25页 |
| ·晶体结构测试分析 | 第20页 |
| ·晶体成分测试分析 | 第20-22页 |
| ·薄膜表面形貌测试分析 | 第22-23页 |
| ·薄膜厚度的测试分析 | 第23-24页 |
| ·薄膜光学性质的测试表征 | 第24-25页 |
| 第三章 MOCVD法的镀膜原理及制备过程 | 第25-31页 |
| ·MOCVD法原理 | 第25-26页 |
| ·MOCVD系统 | 第26-27页 |
| ·MOCVD的特点 | 第27-28页 |
| ·薄膜的制备 | 第28-31页 |
| ·实验前的准备工作 | 第28-29页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第29-31页 |
| 第四章 MOCVD法制备AlN薄膜的研究 | 第31-42页 |
| ·生长温度对AlN薄膜性质的影响 | 第31-34页 |
| ·反应室压强对AlN薄膜性质的影响 | 第34-37页 |
| ·气相中Ⅲ-Ⅴ族比例对AlN薄膜性质的影响 | 第37-42页 |
| 第五章 MOCVD法制备Al_(1-x)In_xN薄膜的研究 | 第42-57页 |
| ·生长温度对Al_(1-x)In_xN薄膜性质的影响 | 第42-50页 |
| ·生长温度对薄膜结构性质的影响 | 第43-45页 |
| ·生长温度对薄膜表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·生长温度对薄膜组分的影响 | 第47-48页 |
| ·生长温度对薄膜光学性质的影响 | 第48-49页 |
| ·生长温度对薄膜生长速率的影响 | 第49-50页 |
| ·不同Ⅲ族比例对Al_(1-x)In_xN薄膜性质的影响 | 第50-57页 |
| ·不同Ⅲ族比例对薄膜组分的影响 | 第50-52页 |
| ·不同Ⅲ族比例对薄膜结构性质的影响 | 第52-54页 |
| ·不同Ⅲ族比例对薄膜表面形貌的影响 | 第54页 |
| ·不同Ⅲ族比例对薄膜光学性质的影响 | 第54-56页 |
| ·不同Ⅲ族比例对薄膜生长速率的影响 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第64页 |
