| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| ·研究背景 | 第10-19页 |
| ·历史背景 | 第10-11页 |
| ·红外探测器的应用 | 第11-16页 |
| ·红外探测器的分类与对比 | 第16-19页 |
| ·InAs/GaInSb 超晶格红外探测器 | 第19-26页 |
| ·InAs/GaInSb 应变超晶格的基本性质 | 第19-24页 |
| ·InAs/GaInSb（SLs）光电探测器的国内外进展 | 第24-26页 |
| ·本文研究的主要内容及目的 | 第26-27页 |
| 第二章 材料制备方法与性能测试方法简介 | 第27-36页 |
| ·分子束外延 | 第27-30页 |
| ·设备简介 | 第27-29页 |
| ·原位监控技术(RHEED) | 第29-30页 |
| ·MBE 生长方式 | 第30页 |
| ·双晶XRD | 第30-32页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第32-33页 |
| ·高分辨透射电子显微镜(HRTEM) | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| ·光谱响应测试 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 InAs/GaInSb 生长工艺优化及性能分析 | 第36-50页 |
| ·InAs/GaInSb 超晶格结构设计 | 第36-37页 |
| ·衬底的选择与处理 | 第37-38页 |
| ·衬底选择 | 第37页 |
| ·衬底生长前处理 | 第37-38页 |
| ·InAs/GaInSb 超晶格的生长及工艺优化 | 第38-42页 |
| ·衬底以及GaSb 缓冲层的生长 | 第38-39页 |
| ·InAs/GaInSb 超晶格材料的生长 | 第39-42页 |
| ·InAs/GaInSb 超晶格材料性能表征分析 | 第42-49页 |
| ·外延膜表面形貌的AFM 观测 | 第42-44页 |
| ·外延膜结晶质量的DXRD 分析 | 第44-46页 |
| ·外延膜微结构的TEM 分析 | 第46-48页 |
| ·外延膜厚度和成分均匀性的SEM 分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 InAs/GaInSb 超晶格光电导探测器制备及工艺优化 | 第50-58页 |
| ·光电导探测器原理 | 第50-51页 |
| ·InAs/GaInSb 光电导器件制作工艺及优化 | 第51-53页 |
| ·器件制备流程 | 第51页 |
| ·光刻工艺及优化 | 第51-53页 |
| ·InAs/GaInSb 腐蚀液配比研究 | 第53页 |
| ·欧姆接触研究 | 第53-57页 |
| ·欧姆接触理论分析 | 第53-56页 |
| ·欧姆接触制备及分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 InAs/GaInSb 光电导探测器性能分析 | 第58-67页 |
| ·探测器的基本参数 | 第58-62页 |
| ·光电导探测器的电导率 | 第58页 |
| ·响应度 | 第58-61页 |
| ·噪声机制 | 第61页 |
| ·探测率 | 第61-62页 |
| ·响应波长 | 第62页 |
| ·探测器光谱响应测试与探测率测试 | 第62-66页 |
| ·光谱响应测试 | 第62-65页 |
| ·探测率测试 | 第65页 |
| ·超晶格阱垒层和周期厚度对响应波长的影响 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
