| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-11页 |
| ·GaN 在光学和电学设备上的商业应用 | 第8-9页 |
| ·GaN 异质结使用缓存层生长 | 第9-10页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第10-11页 |
| 2 Si 衬底上 AlGaN/GaN 异质结生长背景 | 第11-20页 |
| ·外延生长 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料的选择 | 第12页 |
| ·衬底的选择 | 第12-13页 |
| ·Si 衬底上生长AlGaN/GaN 异质结的难点 | 第13-17页 |
| ·Si 衬底上AlGaN/GaN 中异质结的缺陷 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-20页 |
| 3 Si 衬底上GaN 外延层的生长 | 第20-54页 |
| ·有机金属化学气相沉积法 | 第20-22页 |
| ·材料表征 | 第22-26页 |
| ·低温AlN（LT-AlN）缓冲层生长方案 | 第26-30页 |
| ·高温AlN（HT-AlN）缓冲层生长方案 | 第30-33页 |
| ·组分渐变AlGaN/AlN 缓冲层生长方案 | 第33-43页 |
| ·超晶格缓冲层生长方案 | 第43-47页 |
| ·超晶格插入层生长方案 | 第47-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 4 Si 衬底上 AlGaN/GaN 异质结的生长 | 第54-63页 |
| ·HEMT 基本原理 | 第54-57页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的生长 | 第57-58页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结表征特性 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 5 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第72页 |
