| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第10-19页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的光电性能 | 第11-13页 |
| ·ZnO的掺杂特性 | 第13-16页 |
| ·ZnO的磁学特性 | 第16-17页 |
| ·ZnO的其他性质和应用 | 第17-19页 |
| ·ZnO薄膜制备工艺 | 第19-23页 |
| ·脉冲激光沉积工艺(PLD) | 第19页 |
| ·磁控溅射工艺(Megnetron Sputtering) | 第19-20页 |
| ·电子束蒸发(EBE) | 第20-21页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第21-22页 |
| ·金属有机化合物气相沉积(MOCVD) | 第22-23页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第23-25页 |
| 第二章 实验原理及过程 | 第25-34页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)工艺 | 第25-27页 |
| ·PLD的工作原理及特点 | 第25-26页 |
| ·PLD实验系统简介 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射技术 | 第27-29页 |
| ·溅射的基本原理 | 第28-29页 |
| ·溅射的特点 | 第29页 |
| ·实验方法 | 第29-30页 |
| ·薄膜性能表征手段及原理 | 第30-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31页 |
| ·紫外-可见光(UV-VIS)光谱测试 | 第31-32页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第32页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第32-33页 |
| ·Hall测试 | 第33-34页 |
| 第三章 室温条件下制备的ZnO薄膜的性能与表征 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·玻璃衬底上沉积ZnO薄膜的结构及性能 | 第34-40页 |
| ·样品制备及实验过程 | 第34-35页 |
| ·ZnO薄膜的表面形貌分析 | 第35-36页 |
| ·ZnO薄膜的XRD分析 | 第36-37页 |
| ·ZnO薄膜的电学性能分析 | 第37-38页 |
| ·ZnO薄膜的光学性能分析 | 第38-40页 |
| ·柔性PC衬底上沉积的ZnO薄膜的结构及性能 | 第40-45页 |
| ·样品制备及实验过程 | 第40页 |
| ·ZnO薄膜的XRD分析 | 第40-41页 |
| ·ZnO薄膜的表面形貌分析 | 第41-42页 |
| ·ZnO薄膜的光学性能分析 | 第42-44页 |
| ·ZnO薄膜的电学性能分析 | 第44页 |
| ·ZnO薄膜的XPS化学分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 ZnO薄膜晶体管(TFT)的制备及性能研究 | 第46-60页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·TFT的结构及工作原理 | 第46-48页 |
| ·ZnO基TFT的优缺点 | 第48-49页 |
| ·柔性ZnO基TFT的制作及问题讨论 | 第49-53页 |
| ·结构设计 | 第49-50页 |
| ·沟道层ZnO薄膜的生长 | 第50-51页 |
| ·射频磁控溅射法生长绝缘层 | 第51-52页 |
| ·金属电极的制备 | 第52页 |
| ·柔性PC衬底上ZnO基TFT的相关问题讨论 | 第52-53页 |
| ·玻璃衬底上ZnO基TFT的制备 | 第53-59页 |
| ·结构设计 | 第53-55页 |
| ·沟道层ZnO薄膜的生长 | 第55-57页 |
| ·ZnO基TFT的电学性能 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 柔性ZnO基紫外探测器的制备及分析 | 第60-65页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·紫外探测器的工作原理 | 第60-62页 |
| ·ZnO基紫外探测器的制备 | 第62-63页 |
| ·电学性能分析与讨论 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 个人简历 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第76页 |