| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| §1-1 晶体概述 | 第10-15页 |
| §1-2 InP 的基本性质 | 第15-18页 |
| §1-3 InP 基半导体合金材料 | 第18-20页 |
| §1-4 课题来源和选题意义 | 第20-21页 |
| 1-4-1 课题来源 | 第20页 |
| 1-4-2 选题意义 | 第20-21页 |
| §1-5 本论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 InP 合成技术 | 第22-53页 |
| §2-1 合成 InP 多晶方法 | 第22-27页 |
| 2-1-1 水平布里奇曼法（HB）/水平梯度凝固法（HGF）合成 | 第23-25页 |
| 2-1-2 溶质扩散法（SSD）合成 | 第25-26页 |
| 2-1-3 直接合成法 | 第26-27页 |
| §2-2 磷注入合成 InP 多晶 | 第27-38页 |
| 2-2-1 磷注入合成 InP 原理 | 第27-32页 |
| 2-2-2 磷注入合成方法 | 第32-38页 |
| §2-3 大容量、快速磷注入合成 InP 材料 | 第38-43页 |
| 2-3-1 原材料 | 第38-40页 |
| 2-3-2 实验 | 第40-43页 |
| §2-4 影响磷注入合成速度和质量的工艺因素 | 第43-51页 |
| 2-4-1 热场 | 第43-44页 |
| 2-4-2 合成速度及温度的控制 | 第44-47页 |
| 2-4-3 炉内压力的影响 | 第47页 |
| 2-4-4 熔体化学计量比的控制 | 第47-48页 |
| 2-4-5 合成的结果及分析 | 第48-51页 |
| §2-5 结论 | 第51-53页 |
| 第三章 InP 单晶生长 | 第53-86页 |
| §3-1 引言 | 第53页 |
| §3-2 InP 单晶生长技术 | 第53-63页 |
| 3-2-1 液封直拉(LEC)技术 | 第53-56页 |
| 3-2-2 改进的LEC 法 | 第56-57页 |
| 3-2-3 蒸气控制直拉(VCz)技术 | 第57-58页 |
| 3-2-4 垂直梯度凝固(VGF)和垂直布里奇曼(VB)技术 | 第58-59页 |
| 3-2-5 水平布里奇曼(HB)技术和水平梯度凝固(HGF) | 第59-61页 |
| 3-2-6 其他生长 InP 单晶技术 | 第61-63页 |
| §3-3 InP 大直径、长单晶生长研究 | 第63-84页 |
| 3-3-1 研究内容 | 第63-65页 |
| 3-3-2 实验条件和设计 | 第65-71页 |
| 3-3-3 减少InP 单晶生长中孪晶的产生 | 第71-79页 |
| 3-3-4 降低InP 单晶中的位错密度 | 第79-84页 |
| §3-4 结论 | 第84-86页 |
| 第四章 熔体配比条件与 InP 材料的缺陷特性 | 第86-104页 |
| §4-1 引言 | 第86-87页 |
| §4-2 实验 | 第87-88页 |
| §4-3 结果与讨论 | 第88-104页 |
| 4-3-1 室温和变温Hall 测试分析 | 第88-94页 |
| 4-3-2 光致发光谱（PL）测试分析 | 第94-97页 |
| 4-3-3 付立叶变换红外吸收谱(FT-IR)测试分析 | 第97-99页 |
| 4-3-4 缺陷的形成与熔体化学计量比的关系 | 第99-100页 |
| 4-3-5 熔体的化学计量比与晶体原生缺陷形成能的关系 | 第100-102页 |
| 4-3-6 熔体化学计量比与VInH4 的浓度关系 | 第102页 |
| 4-3-7 铟空位与氢复合体VInH4 对测试结果的影响 | 第102-104页 |
| 第五章 半绝缘 InP 晶片的制备 | 第104-121页 |
| §5-1 InP 晶格中的点缺陷 | 第104-107页 |
| §5-2 点缺陷对半绝缘InP 材料性质的影响 | 第107-110页 |
| §5-3 InP 单晶片的电阻率 | 第110-112页 |
| §5-4 掺Fe 制备半绝缘InP 材料 | 第112-113页 |
| §5-5 高温退火非掺InP 晶片制备半绝缘材料 | 第113-115页 |
| §5-6 材料中的深能级缺陷 | 第115-120页 |
| §5-7 结论 | 第120-121页 |
| 第六章 结论 | 第121-123页 |
| §6-1 结论 | 第121-122页 |
| §6-2 下一步展望 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第128-129页 |
