| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·AlN 的国内外研究进展 | 第10-11页 |
| ·本论文的主要内容 | 第11-12页 |
| 2 MOCVD 生长和表征技术 | 第12-23页 |
| ·薄膜沉积模式 | 第12-13页 |
| ·MOCVD 生长技术 | 第13-16页 |
| ·薄膜的表征与分析技术 | 第16-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 缓冲层生长温度对AlN 质量的影响 | 第23-46页 |
| ·AlN 材料的MOCVD 制备 | 第23-30页 |
| ·生长实验 | 第30-33页 |
| ·样品表征和数据分析 | 第33-44页 |
| ·结果分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 缓冲层生长厚度对AlN 质量的影响 | 第46-54页 |
| ·实验方案 | 第46-47页 |
| ·表征结果和分析 | 第47-52页 |
| ·实验结论 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5 AlN 材料连续生长方式的初步研究 | 第54-63页 |
| ·实验方案和表征分析 | 第54-61页 |
| ·实验结论 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 6 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |