| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·团簇的定义和基本性质 | 第8-10页 |
| ·团簇的定义 | 第8页 |
| ·团簇的基本性质 | 第8-10页 |
| ·团簇研究的现状及研究意义 | 第10-11页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族砷化物半导体团簇的研究现状 | 第11-14页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ 族砷化物半导体团簇的研究现状 | 第13页 |
| ·砷化硼和砷化铟团簇的研究 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作及意义 | 第14-16页 |
| 2 理论基础和计算方法 | 第16-29页 |
| ·第一性原理 | 第16-17页 |
| ·绝热近似 | 第16页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第16-17页 |
| ·密度泛函理论 | 第17-22页 |
| ·早期的Thomas-Fermi 模型 | 第18页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第18-20页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第20-22页 |
| ·交换相关能泛函 | 第22-26页 |
| ·局域密度近似 | 第22-25页 |
| ·广义梯度近似 | 第25页 |
| ·杂化密度泛函 | 第25-26页 |
| ·Gaussian03 计算软件简介及基组选择 | 第26-29页 |
| ·Gaussian03 计算软件简介 | 第26页 |
| ·基组选择 | 第26-29页 |
| 3 B_nAs_n(n=1-14)团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究 | 第29-40页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·计算方法 | 第29-30页 |
| ·结果分析与讨论 | 第30-38页 |
| ·B_nAs_n(n=1-14)团簇的最低能量结构及其演化规律 | 第30-33页 |
| ·B_nAs_n(n≤14)团簇稳定性及电子性质随尺寸的变化 | 第33-38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| 4 In_nAs_n(n=4-90)管状团簇和InAs 无限长纳米管的结构、稳定性和电子性质 | 第40-53页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·计算方法 | 第40-41页 |
| ·结果与分析 | 第41-52页 |
| ·In_nAs_n (n=4-90)管状团簇的结构 | 第41-44页 |
| ·In_nAs_n管状团簇稳定性及电子性质随尺寸的变化 | 第44-49页 |
| ·无限长InA_s 纳米管的结构与性质 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 在读期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 后记 | 第64页 |
