| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·多孔硅概况 | 第10-19页 |
| ·多孔材料的发现及其应用 | 第10-12页 |
| ·多孔硅及纳米硅晶的制备 | 第12-14页 |
| ·多孔硅的形成 | 第14-17页 |
| ·多孔硅的表面形貌和微结构 | 第17-19页 |
| ·多孔硅发光机理及其进展 | 第19-29页 |
| ·半导体材料电子能带和发光机理 | 第19-20页 |
| ·多孔硅带隙的实验测量 | 第20-21页 |
| ·多孔硅的光致发光 | 第21-23页 |
| ·多孔硅的发光机制 | 第23-29页 |
| ·本论文研究的内容和目的 | 第29-30页 |
| 第二章 多孔硅的制备和研究手段 | 第30-36页 |
| ·多孔硅样品实验准备 | 第30-32页 |
| ·选取硅片 | 第30页 |
| ·硅片清洗 | 第30页 |
| ·阳极腐蚀电极的制备 | 第30-31页 |
| ·电化学实验装置 | 第31-32页 |
| ·多孔硅研究中使用到的研究手段 | 第32-35页 |
| ·电化学工作站(CHI600D) | 第32页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| ·光致发光(Photoluminescence,PL) | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 正电子湮没技术及其应用 | 第36-58页 |
| ·正电子与物质的相互作用 | 第36-39页 |
| ·正电子在物质中的慢化和扩散 | 第36-37页 |
| ·正电子缺陷捕获 | 第37-39页 |
| ·正电子素 | 第39页 |
| ·正电子素的形成 | 第39-43页 |
| ·俄勒隙模型(ore gap) | 第39-40页 |
| ·激励模型(spur) | 第40页 |
| ·气泡模型 | 第40-42页 |
| ·自由体积模型 | 第42-43页 |
| ·正电子湮没测量方法 | 第43-49页 |
| ·正电子源 | 第43-44页 |
| ·正电子测量原理 | 第44-46页 |
| ·正电子湮没寿命谱数据处理 | 第46-47页 |
| ·基于慢正电子束的多普勒展宽能谱测量 | 第47-49页 |
| ·正电子谱学方法在材料微结构研究中的应用 | 第49-51页 |
| ·正电子技术的特点 | 第49-50页 |
| ·正电子技术在多孔材料中的应用 | 第50-51页 |
| ·正电子技术在聚合物中的应用及展望 | 第51-57页 |
| ·聚合物中正电子研究现状 | 第51-53页 |
| ·聚合物中的正电子谱学方法分析 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 多孔硅材料的光致发光研究 | 第58-83页 |
| ·多孔硅电化学伏安特性研究 | 第58-61页 |
| ·阳极腐蚀电流大小对发光的影响 | 第61-66页 |
| ·实验方法 | 第62页 |
| ·实验结果讨论 | 第62-66页 |
| ·实验结果小结 | 第66页 |
| ·脉冲腐蚀法制备多孔硅 | 第66-75页 |
| ·实验方法 | 第66-68页 |
| ·实验结果 | 第68-71页 |
| ·实验讨论 | 第71-75页 |
| ·实验结论 | 第75页 |
| ·Ag/PS/n-Si结构特性分析 | 第75-82页 |
| ·实验方法 | 第75-76页 |
| ·样品测试结果 | 第76-78页 |
| ·慢正电子湮没谱表征结果 | 第78-80页 |
| ·实验结果分析 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 结论和研究展望 | 第83-85页 |
| ·结论 | 第83页 |
| ·研究展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 攻读学位期间发表论文情况 | 第92页 |