| 中文摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| ·GaN薄膜的研究背景 | 第13-14页 |
| ·GaN材料在光电器件中的作用 | 第13页 |
| ·GaN材料的商业应用现状与前景 | 第13-14页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第14-17页 |
| ·GaN的物理特性 | 第14-16页 |
| ·GaN的化学特性 | 第16页 |
| ·GaN的电学特性 | 第16-17页 |
| ·GaN的光学特性 | 第17页 |
| ·单晶氮化镓材料的生长方法 | 第17-19页 |
| ·改进的气相传输法(SST) | 第17-18页 |
| ·熔体法生长法 | 第18页 |
| ·助溶剂法 | 第18-19页 |
| ·提拉法 | 第19页 |
| ·GaN薄膜的制备主要方法 | 第19-25页 |
| ·氮化镓单晶薄膜衬底的选取 | 第20页 |
| ·氮化镓单晶薄膜的几种生长方法 | 第20-24页 |
| ·外延生长技术难点 | 第24-25页 |
| ·研究GaN薄膜的意义及本论文的主要内容 | 第25-26页 |
| 本章参考文献 | 第26-28页 |
| 第二章 样品的制备和测试方法 | 第28-42页 |
| ·实验原理与实验设备 | 第28-32页 |
| ·金属有机物化学气相淀积(MOCVD)的特点 | 第28-29页 |
| ·MOCVD法生长半导体材料的动力学模型 | 第29-31页 |
| ·高温高真空MOCVD仪器设备 | 第31-32页 |
| ·样品的制备 | 第32-34页 |
| ·衬底的选择与预处理 | 第32-33页 |
| ·GaN薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·测试方法 | 第34-41页 |
| 本章参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 GaN薄膜的结构特性研究与表面形貌 | 第42-56页 |
| ·GaN薄膜的结构特性 | 第42-46页 |
| ·生长温度对GaN薄膜结构性质的影响 | 第42-44页 |
| ·反应室压强对GaN薄膜结构性质的影响 | 第44-45页 |
| ·缓冲层生长条件对GaN薄膜结构性质的影响 | 第45-46页 |
| ·GaN薄膜的组分分析 | 第46-49页 |
| ·蓝宝石衬底上GaN薄膜的表面形貌 | 第49-55页 |
| ·缓冲层和生长层同时变化压强对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·缓冲层和生长层的压强分别不同时对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第51-53页 |
| ·缓冲层生长温度对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第53-55页 |
| 本章参考文献 | 第55-56页 |
| 第四章 GaN薄膜的红外透射和紫外吸收特性 | 第56-64页 |
| ·GaN薄膜的红外透射光谱 | 第56-60页 |
| ·生长压强对GaN薄膜红外透射的影响 | 第57-58页 |
| ·缓冲层生长温度对GaN薄膜红外透射的影响 | 第58-59页 |
| ·生长层的生长温度对GaN薄膜红外透射的影响 | 第59-60页 |
| ·GaN薄膜的紫外吸收特性 | 第60-63页 |
| ·分别变化缓冲层和生长层的压强对GaN薄膜紫外吸收的影响 | 第60-61页 |
| ·缓冲层温度对GaN薄膜紫外吸收特性的影响 | 第61-63页 |
| 本章参考文献 | 第63-64页 |
| 第五章 GaN薄膜光致发光性质的研究 | 第64-70页 |
| ·生长压强对GaN薄膜发光性质的影响 | 第65-66页 |
| ·缓冲层的压强对GaN薄膜发光性质的影响 | 第66-67页 |
| ·缓冲层生长温度对GaN薄膜发光性质的影响 | 第67-69页 |
| 本章参考文献 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |
