| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 中文文摘 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 绪论 | 第9-17页 |
| 1. CMOS器件的发展 | 第9-13页 |
| 2. Fe基材料 | 第13-14页 |
| 3. 本论文主要工作 | 第14-17页 |
| 第一章 理论计算方法 | 第17-23页 |
| 第一节 密度泛函理论概述 | 第17页 |
| 第二节 多粒子系统的薛定谔方程 | 第17-18页 |
| 第三节 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第18页 |
| 第四节 Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| 第五节 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 第六节 局域密度近似(LDA) | 第20页 |
| 第七节广义梯度近似(GGA) | 第20-21页 |
| 第八节 赝势 | 第21页 |
| 第九节 VASP程序包 | 第21-23页 |
| 第二章 Mo(110)表面和衬底吸附氧对功函数影响的第一性原理研究 | 第23-35页 |
| 第一节 引言 | 第23-24页 |
| 第二节 模型和计算方法 | 第24-25页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第25-33页 |
| 第四节 结论 | 第33-35页 |
| 第三章 Fe(100)磁性和功函数的第一性原理研究 | 第35-41页 |
| 第一节 引言 | 第35页 |
| 第二节 模型和计算方法 | 第35-36页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第36-39页 |
| 第四节 结论 | 第39-41页 |
| 第四章 FeCr合金磁性和功函数的第一性原理研究 | 第41-51页 |
| 第一节 引言 | 第41-42页 |
| 第二节 模型与方法 | 第42-43页 |
| 第三节 结果和讨论 | 第43-49页 |
| 第四节 结论 | 第49-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-63页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历 | 第65-66页 |