| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1. 研究背景 | 第11-16页 |
| ·宽带隙半导体材料——ZnO | 第11-12页 |
| ·稀土元素简介 | 第12-13页 |
| ·透明导电氧化物——In_4Sn_3O_(12) 和In_4Ge_3O_(12) | 第13-14页 |
| ·TiO_2 材料的性质及应用 | 第14-16页 |
| 2 本论文的内容及意义 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法 | 第21-35页 |
| 1. 第一性原理计算 | 第21-22页 |
| 2. 绝热近似 | 第22页 |
| 3. 布洛赫定理 | 第22-23页 |
| 4.H artree-Fock 近似（HFA） | 第23-27页 |
| 5.H ohenberg-Kohn（HK）定理 | 第27-28页 |
| 6.K ohn-Sham（KS）方程 | 第28-29页 |
| 7. 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第29-30页 |
| 8. 光学性质计算 | 第30-31页 |
| 9. 强关联问题 | 第31-32页 |
| 10. 计算软件简介 | 第32页 |
| 11. 辅助分析软件 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 Ce 掺杂ZnO 电子结构和光学性质的第一性原理研究 | 第35-47页 |
| 1. 引言 | 第35-36页 |
| 2. 计算方法 | 第36页 |
| 3. 结果与讨论 | 第36-44页 |
| ·电子结构 | 第36-41页 |
| ·光学性质 | 第41-44页 |
| 4. 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 透明导电氧化物In_4Sn_3O_(12)和In_4Ge_3O_(12)2电子结构和光学性质第一性原理研 | 第47-57页 |
| 1 引言 | 第47-48页 |
| 2 计算方法 | 第48页 |
| 3 结果与讨论 | 第48-54页 |
| ·基态结构 | 第48-50页 |
| ·电子结构 | 第50-52页 |
| ·光学性质 | 第52-54页 |
| 4. 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第五章 Ce/N 共掺杂改善锐钛矿型TiO_2的电子结构和光学性质 | 第57-68页 |
| 1. 引言 | 第57-58页 |
| 2. 计算方法 | 第58-59页 |
| 3. 结果与讨论 | 第59-64页 |
| ·结构优化和形成能 | 第59-61页 |
| ·电子结构和磁性 | 第61-63页 |
| ·光学吸收 | 第63-64页 |
| 4. 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第六章 总结和展望 | 第68-70页 |
| 1 总结 | 第68-69页 |
| 2 展望 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
