| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 概述 | 第12-27页 |
| ·半导体材料的发展与GaN 的兴起 | 第13-18页 |
| ·半导体材料的发展历程 | 第13-14页 |
| ·GaN 材料的结构与性能 | 第14-18页 |
| ·介电氧化物材料简介 | 第18-23页 |
| ·钙钛矿氧化物材料的结构与性能 | 第18-22页 |
| ·介电氧化物薄膜的外延生长 | 第22-23页 |
| ·介电氧化物/GaN 半导体集成薄膜研究概况 | 第23-25页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第25-27页 |
| 第二章 介电氧化物薄膜的制备及分析方法 | 第27-46页 |
| ·介电氧化物薄膜制备方法 | 第27-30页 |
| ·介电氧化物薄膜实时原位监测方法 | 第30-36页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED)原理 | 第31-33页 |
| ·RHEED 图像的主要信息 | 第33-35页 |
| ·RHEED 分析与薄膜生长模式 | 第35-36页 |
| ·氧化物薄膜后位结构分析手段 | 第36-43页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第36-38页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第38-40页 |
| ·X 光电子能谱(XPS) | 第40-41页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第41-43页 |
| ·介电氧化物薄膜电学性能测试 | 第43-46页 |
| ·薄膜铁电性能测试 | 第43-44页 |
| ·薄膜绝缘性能测试 | 第44-46页 |
| 第三章 SrTiO_3介电薄膜在GaN上的外延生长研究 | 第46-65页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·GaN 衬底上SrTiO_3 薄膜的生长 | 第47-52页 |
| ·GaN 基片的表面处理 | 第47-49页 |
| ·温度对STO 薄膜生长的影响 | 第49-52页 |
| ·SrTiO_3/GaN 外延关系分析 | 第52-60页 |
| ·SrTiO_3/GaN 外延关系的标定 | 第52-57页 |
| ·SrTiO_3/GaN 外延关系机理分析 | 第57-60页 |
| ·SrTiO_3/GaN 界面特性研究 | 第60-63页 |
| ·SrTiO_3/GaN 界面结构与成分分布分析 | 第60-62页 |
| ·SrTiO_3/GaN 界面扩散机理 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第四章 GaN 上TiO_2模板层的生长及其对SrTiO_3薄膜生长的影响 | 第65-91页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·TiO_2 模板层的制备 | 第66-73页 |
| ·温度对TiO_2 模板层生长的影响 | 第66-68页 |
| ·TiO_2 模板层的微结构分析 | 第68-71页 |
| ·TiO_2 模板层晶格弛豫过程 | 第71-73页 |
| ·SrTiO_3 薄膜在TiO_2 模板层上的生长规律 | 第73-87页 |
| ·TiO_2 模板层对SrTiO_3 外延生长的诱导作用 | 第73-77页 |
| ·TiO_2 模板层厚度对SrTiO_3 薄膜生长的影响 | 第77-81页 |
| ·TiO_2 模板层上生长温度对SrTiO_3 薄膜的影响 | 第81-83页 |
| ·TiO_2 模板层上沉积速率对SrTiO_3 薄膜的影响 | 第83-85页 |
| ·TiO_2 模板层上SrTiO_3 薄膜生长模式控制 | 第85-87页 |
| ·SrTiO_3/TiO_2/GaN 界面特性分析 | 第87-89页 |
| ·小结 | 第89-91页 |
| 第五章 SrTiO_3/TiO_2缓冲层对GaN基集成铁电薄膜取向及性能的影响 | 第91-118页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·GaN 基片上BaTiO_3 薄膜的制备与表征 | 第92-96页 |
| ·GaN 基片上BaTiO_3 薄膜的结构分析 | 第93-94页 |
| ·GaN 基片上BaTiO_3 薄膜的电学性能测试 | 第94-96页 |
| ·GaN 基片上Hf 掺杂Bi_4Ti_3O_(12) 薄膜的结构与性能 | 第96-105页 |
| ·GaN 基片上BTH 薄膜的结构 | 第98-101页 |
| ·GaN 基片上BTH 薄膜的铁电性能 | 第101-105页 |
| ·BiFeO_3 薄膜的制备与性能研究 | 第105-117页 |
| ·化学成分偏移对BiFeO_3 薄膜电学性能的影响 | 第106-109页 |
| ·BiFeO_3 薄膜铁电性能的各向异性 | 第109-110页 |
| ·GaN 基片上BiFeO_3 的结构分析 | 第110-112页 |
| ·GaN 基片上BiFeO_3 的性能测试 | 第112-117页 |
| ·小结 | 第117-118页 |
| 第六章 GaN衬底上MgO势垒层的外延生长及其效应初探 | 第118-132页 |
| ·引言 | 第118页 |
| ·MgO 势垒层的低温外延生长研究 | 第118-121页 |
| ·温度对MgO 薄膜外延生长的影响 | 第118-121页 |
| ·MgO 薄膜低温外延生长特性分析 | 第121页 |
| ·MgO 诱导SrTiO_3 在GaN 上的集成生长研究 | 第121-124页 |
| ·TiO_2/MgO 复合缓冲层诱导SrTiO_3 外延生长 | 第124-125页 |
| ·SrTiO_3/TiO_2/MgO 叠层栅介质在GaN 基HEMT 器件中的应用 | 第125-130页 |
| ·小结 | 第130-132页 |
| 第七章 结论 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 参考文献 | 第135-148页 |
| 攻读博士期间取得的成果 | 第148-150页 |
| 作者简介 | 第150-151页 |
