摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-16页 |
·研究背景和意义 | 第12-13页 |
·本研究的目的 | 第13页 |
·本文的结构安排和内容提要 | 第13-16页 |
第二章 文献综述 | 第16-38页 |
·引言 | 第16页 |
·直拉单晶硅中的氧、氧沉淀和空位 | 第16-22页 |
·直拉单晶硅中的氧 | 第16-18页 |
·直拉单晶硅中的氧沉淀 | 第18-20页 |
·直拉单晶硅中的空位 | 第20-22页 |
·直拉单晶硅中铜的基本性质 | 第22-27页 |
·铜的扩散 | 第22-23页 |
·铜的固溶度 | 第23-24页 |
·铜在硅中的沉淀反应 | 第24-27页 |
·直拉单晶硅中铜的吸杂 | 第27-34页 |
·吸杂机理 | 第28-29页 |
·外吸杂 | 第29页 |
·内吸杂 | 第29-30页 |
·直拉单晶硅的内吸杂技术 | 第30-34页 |
·高-低-高内吸杂工艺 | 第30-31页 |
·MDZ内吸杂工艺 | 第31-34页 |
·直拉单晶硅的杂质工程 | 第34-37页 |
·掺杂对机械性能的影响 | 第34-35页 |
·掺杂对内吸杂结构的影响 | 第35-37页 |
·本文研究方向的提出 | 第37-38页 |
第三章 实验样品与研究方法 | 第38-44页 |
·实验样品与样品制备 | 第38-39页 |
·实验样品 | 第38-39页 |
·样品制备 | 第39页 |
·研究方法 | 第39-44页 |
·热处理工艺及设备 | 第39-40页 |
·测试方法和设备 | 第40-44页 |
第四章 共掺锗的重掺磷直拉单晶硅的内吸杂效应 | 第44-58页 |
·引言 | 第44页 |
·实验 | 第44-46页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂工艺 | 第45页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂能力 | 第45-46页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂工艺 | 第46-54页 |
·基于普通炉退火和快速热处理的内吸杂工艺 | 第46-50页 |
·形核温度对洁净区形成的影响 | 第50-52页 |
·高温预处理对洁净区形成的影响 | 第52-54页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂能力 | 第54-56页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片对铜杂质原子的吸杂 | 第54-55页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片吸杂区的热稳定性 | 第55-56页 |
·小结 | 第56-58页 |
第五章 共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅的内吸杂效应 | 第58-68页 |
·引言 | 第58页 |
·实验 | 第58-60页 |
·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅片的传统内吸杂工艺和MDZ内吸杂工艺研究 | 第59页 |
·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅中氧沉淀对铜沉淀的影响 | 第59-60页 |
·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅片的传统内吸杂工艺和MDZ内吸杂工艺研究 | 第60-64页 |
·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅中氧沉淀对铜沉淀的影响 | 第64-66页 |
·小结 | 第66-68页 |
第六章 共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中的铜沉淀行为 | 第68-80页 |
·引言 | 第68页 |
·实验 | 第68-70页 |
·掺锗对重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响 | 第69页 |
·热处理条件对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响 | 第69-70页 |
·空位对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响 | 第70页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性 | 第70页 |
·掺锗对重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响 | 第70-73页 |
·原生的共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中的铜沉淀 | 第70-71页 |
·消除原生缺陷的共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中的铜沉淀 | 第71-73页 |
·热处理条件对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响 | 第73-75页 |
·热处理温度对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第73-74页 |
·热处理冷却速度对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第74-75页 |
·空位对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响 | 第75-76页 |
·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性 | 第76-78页 |
·小结 | 第78-80页 |
第七章 结论 | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-90页 |
致谢 | 第90-92页 |
个人简介 | 第92-94页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第94页 |