首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--元素半导体论文

直拉单晶硅的内吸杂效应及铜沉淀行为

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-16页
   ·研究背景和意义第12-13页
   ·本研究的目的第13页
   ·本文的结构安排和内容提要第13-16页
第二章 文献综述第16-38页
   ·引言第16页
   ·直拉单晶硅中的氧、氧沉淀和空位第16-22页
     ·直拉单晶硅中的氧第16-18页
     ·直拉单晶硅中的氧沉淀第18-20页
     ·直拉单晶硅中的空位第20-22页
   ·直拉单晶硅中铜的基本性质第22-27页
     ·铜的扩散第22-23页
     ·铜的固溶度第23-24页
     ·铜在硅中的沉淀反应第24-27页
   ·直拉单晶硅中铜的吸杂第27-34页
     ·吸杂机理第28-29页
     ·外吸杂第29页
     ·内吸杂第29-30页
     ·直拉单晶硅的内吸杂技术第30-34页
       ·高-低-高内吸杂工艺第30-31页
       ·MDZ内吸杂工艺第31-34页
   ·直拉单晶硅的杂质工程第34-37页
     ·掺杂对机械性能的影响第34-35页
     ·掺杂对内吸杂结构的影响第35-37页
   ·本文研究方向的提出第37-38页
第三章 实验样品与研究方法第38-44页
   ·实验样品与样品制备第38-39页
     ·实验样品第38-39页
     ·样品制备第39页
   ·研究方法第39-44页
     ·热处理工艺及设备第39-40页
     ·测试方法和设备第40-44页
第四章 共掺锗的重掺磷直拉单晶硅的内吸杂效应第44-58页
   ·引言第44页
   ·实验第44-46页
     ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂工艺第45页
     ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂能力第45-46页
   ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂工艺第46-54页
     ·基于普通炉退火和快速热处理的内吸杂工艺第46-50页
     ·形核温度对洁净区形成的影响第50-52页
     ·高温预处理对洁净区形成的影响第52-54页
   ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂能力第54-56页
     ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片对铜杂质原子的吸杂第54-55页
     ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅片吸杂区的热稳定性第55-56页
   ·小结第56-58页
第五章 共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅的内吸杂效应第58-68页
   ·引言第58页
   ·实验第58-60页
     ·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅片的传统内吸杂工艺和MDZ内吸杂工艺研究第59页
     ·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅中氧沉淀对铜沉淀的影响第59-60页
   ·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅片的传统内吸杂工艺和MDZ内吸杂工艺研究第60-64页
   ·共掺锗的轻掺磷直拉单晶硅中氧沉淀对铜沉淀的影响第64-66页
   ·小结第66-68页
第六章 共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中的铜沉淀行为第68-80页
   ·引言第68页
   ·实验第68-70页
     ·掺锗对重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响第69页
     ·热处理条件对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响第69-70页
     ·空位对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响第70页
     ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性第70页
   ·掺锗对重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响第70-73页
     ·原生的共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中的铜沉淀第70-71页
     ·消除原生缺陷的共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中的铜沉淀第71-73页
   ·热处理条件对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响第73-75页
     ·热处理温度对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的影响第73-74页
     ·热处理冷却速度对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的影响第74-75页
   ·空位对共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀行为的影响第75-76页
   ·共掺锗的重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性第76-78页
   ·小结第78-80页
第七章 结论第80-82页
参考文献第82-90页
致谢第90-92页
个人简介第92-94页
攻读硕士学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第94页

论文共94页,点击 下载论文
上一篇:Na掺杂p型ZnO:Na_x薄膜的制备与性能研究
下一篇:过渡金属掺杂ZnO薄膜的制备及其性能研究