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外延GaN衬底上ZnO:Ga薄膜的制备及特性研究

摘要第1-12页
ABSTRACT第12-14页
符号说明第14-16页
第一章 绪论第16-30页
 §1.1 透明导电氧化物(TCO)薄膜概述第16-17页
 §1.2 ZnO薄膜的性质及其应用第17-20页
     ·结构性质第17-18页
     ·电学性质第18页
     ·光学性质第18-19页
     ·ZnO薄膜的应用第19-20页
 §1.3 ZnO薄膜的制备方法第20-22页
 §1.4 ZnO薄膜的研究现状第22-23页
 §1.5 课题的选取和研究的内容第23-26页
 本章参考文献第26-30页
第二章 实验设备介绍和薄膜制备过程的介绍第30-40页
 §2.1 金属有机化学气相淀积法(MOCVD)第30-35页
     ·MOCVD系统的介绍第30-33页
     ·MOCVD的基本原理第33-34页
     ·MOCVD的技术特点第34-35页
 §2.2 实验前的准备第35-37页
     ·衬底的选取第35-36页
     ·衬底的清洗第36页
     ·原料的选取和实验参数的确定第36-37页
     ·工艺流程的程序编辑第37页
 §2.3 薄膜的制备过程第37-39页
 本章参考文献第39-40页
第三章 薄膜性能的测试分析方法第40-50页
 §3.1 结构和成分测试分析第40-42页
     ·X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)第40-41页
     ·X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)第41-42页
 §3.2 薄膜表面形貌分析第42-44页
     ·扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)第42页
     ·原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)第42-43页
     ·透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)第43-44页
 §3.3 电学性质的测量第44-47页
     ·电阻率ρ(Ω·cm)第44-45页
     ·载流子浓度n(cm~(-3))和霍尔迁移率μ(cm~2V~(-1)s~(-1))第45页
     ·衬底GaN对薄膜电学测量结果的影响第45-47页
 §3.4 光学性质的测量第47-49页
     ·透射和吸收第47页
     ·光致发光谱(Photoluminescence,PL)第47-49页
 本章参考文献第49-50页
第四章 Epi-GaN/α-Al_2O_3衬底外延ZnO薄膜的研究第50-68页
 §4.1 ZnO薄膜样品的制备第50-52页
 §4.2 反应压强对epi-GaN/α-Al_2O_3生长ZnO薄膜性质的影响第52-56页
     ·反应压强对ZnO薄膜的结构性质的影响第52-54页
     ·反应压强对ZnO薄膜的电学性质的影响第54-55页
     ·反应压强对ZnO薄膜的光学性质的影响第55-56页
 §4.3 衬底温度对epi-GaN/α-Al_2O_3生长ZnO薄膜结构的影响第56-64页
     ·ZnO薄膜的结构随衬底温度的变化第57-58页
     ·epi-GaN/α-Al_2O_3衬底生长ZnO单晶薄膜外延生长机理分析第58-61页
     ·ZnO薄膜的组分分析第61-63页
     ·薄膜表面形貌的影响第63-64页
 §4.4 衬底温度对epi-GaN/α-Al_2O_3生长ZnO光电性质的影响第64-67页
     ·衬底温度对ZnO薄膜的电学性质的影响第64-65页
     ·衬底温度对ZnO薄膜的光学性质的影响第65-67页
 本章参考文献第67-68页
第五章 Epi-GaN/α-Al_2O_3衬底制备ZnO:Ga薄膜的研究第68-84页
 §5.1 Ga掺杂ZnO薄膜的制备第68-72页
 §5.2 ZnO:Ga薄膜结构性质的研究第72-79页
     ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响第72-75页
     ·ZnO:Ga薄膜的组分分析第75-77页
     ·掺杂浓度对薄膜表面形貌的影响第77-79页
 §5.3 ZnO:Ga薄膜电学特性的研究第79-80页
 §5.4 ZnO:Ga薄膜光学特性的研究第80-83页
 本章参考文献第83-84页
第六章 结论第84-86页
硕士期间发表论文目录第86-88页
致谢第88-89页
Paper 1第89-98页
学位论文评阅及答辩情况表第98页

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