掺锗直拉硅单晶中缺陷的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| ·研究背景与意义 | 第11页 |
| ·本研究的目的 | 第11-12页 |
| ·本研究的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 直拉硅单晶的微缺陷及其研究现状 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·直拉硅单晶中的氧 | 第14-17页 |
| ·直拉硅单晶中的氧沉淀 | 第17-20页 |
| ·氧沉淀的基本性质 | 第17-18页 |
| ·氧沉淀形成的动力学过程 | 第18-19页 |
| ·氧沉淀形成的影响因素 | 第19-20页 |
| ·直拉硅单晶中的空位 | 第20-22页 |
| ·直拉硅单晶中的空洞型缺陷 | 第22-27页 |
| ·空洞型缺陷的基本性质 | 第22-23页 |
| ·空洞型缺陷形成的动力学过程 | 第23-25页 |
| ·杂质对空洞型缺陷的影响 | 第25-27页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第27-31页 |
| ·实验样品 | 第27-29页 |
| ·CZ与GCZ样品 | 第27-28页 |
| ·电子辐照样品 | 第28页 |
| ·中子辐照样品 | 第28-29页 |
| ·热处理样品的制备 | 第29页 |
| ·退火工艺以及热处理设备 | 第29页 |
| ·测试方法和测试设备 | 第29-31页 |
| ·硅中氧、碳、锗浓度的测量 | 第29页 |
| ·机械性能的表征 | 第29-30页 |
| ·硅中空洞型缺陷的表征 | 第30页 |
| ·氧沉淀的测量 | 第30-31页 |
| 第四章 掺锗直拉硅单晶的生长及表征 | 第31-37页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验 | 第31-32页 |
| ·掺锗直拉硅单晶的生长及加工 | 第31页 |
| ·研究掺锗直拉硅单晶的流动图形缺陷 | 第31-32页 |
| ·研究掺锗直拉硅单晶的机械性能 | 第32页 |
| ·锗在硅中的分凝系数 | 第32-33页 |
| ·掺锗直拉硅单晶中的流动图形缺陷(FPD) | 第33-34页 |
| ·掺锗对直拉硅单晶机械性能的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第五章 掺锗直拉硅单晶中的空洞型缺陷 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验 | 第37-39页 |
| ·掺锗直拉硅晶中的流动图形缺陷 | 第39-43页 |
| ·轻掺硼掺锗直拉硅单晶中的流动图形缺陷 | 第39-41页 |
| ·轻掺磷掺锗直拉硅单晶中的流动图形缺陷 | 第41页 |
| ·重掺硼掺锗直拉硅单晶中的流动图形缺陷 | 第41-42页 |
| ·重掺磷掺锗直拉硅单晶中的流动图形缺陷 | 第42-43页 |
| ·掺锗对Void缺陷影响的机理探究 | 第43-45页 |
| ·掺锗对流动图形缺陷的影响 | 第43-44页 |
| ·掺锗对腐蚀速率的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第六章 辐照对掺锗直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第47-55页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·电子辐照对直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第47-48页 |
| ·中子辐照对直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第48页 |
| ·电子辐照对直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第48-50页 |
| ·掺锗对直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第48-49页 |
| ·辐照剂量对直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第49-50页 |
| ·中子辐照对直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第七章 总结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 个人简历 | 第67-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第69页 |
