| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-16页 |
| ·半导体材料的发展 | 第9-10页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料的基本结构与性质 | 第10-12页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料 | 第10页 |
| ·几种重要的Ⅲ族氮化物半导体材料 | 第10-11页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料的结构参数与带隙的关系 | 第11-12页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N材料的应用 | 第12-13页 |
| ·化学有序Al_xGa_(1-x)N材料的研究现状 | 第13-14页 |
| ·本文研究的目的、意义和基本内容 | 第14-16页 |
| 第2章 研究方法和理论背景 | 第16-28页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第17-21页 |
| ·交换关联泛函近似 | 第21-24页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第21-22页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第22-24页 |
| ·赝势方法 | 第24-26页 |
| ·结构优化 | 第26页 |
| ·VASP软件包简介 | 第26-28页 |
| 第3章 化学有序Al_xGa_(1-x)N合金的结构与稳定性 | 第28-34页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·理论模型 | 第29页 |
| ·结构优化 | 第29-31页 |
| ·晶体稳定性 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 化学有序Al_xGa_(1-x)N合金的电子性质 | 第34-43页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·能带结构 | 第34-37页 |
| ·态密度 | 第37-40页 |
| ·电荷密度和成键电荷密度 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 总结与展望 | 第43-45页 |
| ·论文总结 | 第43页 |
| ·研究展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第51页 |
