| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·半导体量子点的生长技术 | 第8-10页 |
| ·应变自组装InAs/GaAs量子点的生长原理 | 第10-13页 |
| ·量子点材料和器件的发展现状 | 第13-20页 |
| ·本章小结及其本论文安排 | 第20-21页 |
| 第二章 MBE生长技术和材料表征技术 | 第21-29页 |
| ·分子束外延(MBE)简介 | 第21-24页 |
| ·光致发光(PL)表征 | 第24-26页 |
| ·原子力扫描显微镜(AFM) | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 高密度InAs量子点的外延生长 | 第29-37页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·生长前设备的准备工作 | 第30页 |
| ·量子点的生长过程 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 InGaAs应变层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响 | 第37-43页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·样品的制备和测试 | 第38-39页 |
| ·实验结果和讨论 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |