| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| ·热电学的历史回顾 | 第11-12页 |
| ·热电学的基本理论 | 第12-19页 |
| ·热电效应概述 | 第12-15页 |
| ·热电器件的工作原理 | 第15-16页 |
| ·热电材料性能参数及其调控 | 第16-19页 |
| ·Mg-Si基热电材料概述及研究进展 | 第19-25页 |
| ·Mg_2Si的晶体结构和基本性质 | 第19-20页 |
| ·Mg-Si基热电材料的掺杂和固溶改性 | 第20-24页 |
| ·Mg-Si基热电材料的制备方法 | 第24-25页 |
| ·高锰硅热电材料概述及研究进展 | 第25-28页 |
| ·硅化物热电材料的优势 | 第28-30页 |
| ·本论文的主要研究目的和内容 | 第30-32页 |
| 第二章 实验方法 | 第32-38页 |
| ·原料和仪器 | 第32-33页 |
| ·材料制备方法 | 第33-35页 |
| ·Mg_2Si制备方法 | 第33-34页 |
| ·高锰硅制备方法 | 第34-35页 |
| ·Mg-Ge-Sn三元固溶体制备方法 | 第35页 |
| ·材料的结构和微观形貌表征 | 第35页 |
| ·材料热电性能的测量 | 第35-38页 |
| 第三章 Mg_2Si热电材料的P型Li掺杂改性 | 第38-52页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·固相反应反应条件的确定 | 第39-41页 |
| ·固相反应的温度 | 第39-40页 |
| ·固相反应法中原料Mg的过量百分比 | 第40-41页 |
| ·固相反应法制备纯Mg_2Si | 第41-44页 |
| ·未掺杂Mg_2Si的物相分析 | 第41-42页 |
| ·纯Mg_2Si的热电性能 | 第42-44页 |
| ·固相反应法制备Li掺杂Mg_2Si | 第44-49页 |
| ·Li掺杂Mg_2Si的物相分析 | 第45页 |
| ·Li掺杂Mg_2Si的热电性能 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-52页 |
| 第四章 Ge取代P型高锰硅热电材料 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·悬浮熔炼、甩带和SPS工艺介绍 | 第52-55页 |
| ·悬浮熔炼和快速凝固试样的微观形貌和物相分析 | 第55-58页 |
| ·悬浮熔炼和快速凝固试样的热电性能 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 Ga掺杂Mg-Ge-Sn热电材料 | 第64-72页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·助熔剂法介绍 | 第65-66页 |
| ·Ga掺杂Mg_2Ge_(0.4)Sn_(0.6)的物相分析 | 第66-67页 |
| ·Ga掺杂Mg_2Ge_(0.4)Sn_(0.6)的热电性能分析 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 个人简历 | 第80-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第82页 |