硅基InN单晶薄膜的RF-MBE生长及其特性研究
| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·氮化铟材料结构及性质 | 第8-10页 |
| ·InN 外延薄膜的生长难点 | 第10-11页 |
| ·InN 薄膜生长工艺及其研究进展 | 第11-16页 |
| ·溅射技术 | 第12页 |
| ·卤化物气相外延 | 第12-13页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第13页 |
| ·金属有机化学气相淀积 | 第13-15页 |
| ·分子束外延 | 第15-16页 |
| ·研究课题的选取 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要研究内容及工作安排 | 第17-18页 |
| 第二章 射频分子束外延生长系统及表征方法 | 第18-32页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·分子束外延生长及其特点 | 第19-22页 |
| ·射频等离子体分子束外延设备简介 | 第22-28页 |
| ·外延薄膜质量表征方法 | 第28-32页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第28-29页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第29-30页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第30页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第30-31页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第31-32页 |
| 第三章 InN 外延薄膜缓冲层生长及优化 | 第32-43页 |
| ·衬底的处理 | 第32-33页 |
| ·不同In 源温度下的薄膜特性分析 | 第33-37页 |
| ·SEM 分析 | 第33-35页 |
| ·光电子能谱分析 | 第35-36页 |
| ·XRD 分析 | 第36-37页 |
| ·不同衬底温度下的外延薄膜特性分析 | 第37-41页 |
| ·SEM 分析 | 第38-39页 |
| ·XRD 分析 | 第39-40页 |
| ·光致发光谱分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| ·不同铟源温度对生长InN 外延薄膜的影响 | 第41页 |
| ·不同衬底温度下的InN 外延薄膜的生长 | 第41-43页 |
| 第四章 InN 薄膜后续生长及异质结特性研究 | 第43-53页 |
| ·薄膜生长 | 第43页 |
| ·结果与分析 | 第43-49页 |
| ·光电子能谱分析 | 第43-46页 |
| ·XRD 分析 | 第46页 |
| ·SEM 分析 | 第46-47页 |
| ·AFM 分析 | 第47-48页 |
| ·PL 谱分析 | 第48-49页 |
| ·n-InN/p-Si 异质结器件的制备 | 第49页 |
| ·n-InN/p-Si 异质结电学特性研究 | 第49-52页 |
| ·本章总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 摘要 | 第60-63页 |
| Abstract | 第63-66页 |
