| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-12页 |
| ·GaN 在光学和电学设备上的应用 | 第9-10页 |
| ·本论文研究意义 | 第10-11页 |
| ·本论文的内容 | 第11-12页 |
| 第2章 实验仪器及测试原理 | 第12-21页 |
| ·MOCVD 简介 | 第12-16页 |
| ·AlGaN-MOCVD 气路介绍 | 第12-14页 |
| ·金属有机气相沉积原理 | 第14-16页 |
| ·结构测试仪器 | 第16-18页 |
| ·金相显微镜 | 第16-17页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第17页 |
| ·分辨率X 光衍射仪(HR-XRD) | 第17-18页 |
| ·电学测试仪器 | 第18-20页 |
| ·霍尔(Hall)测试系统 | 第19页 |
| ·电容-电压(C-V)测试 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 AlGaN/GaN 异质结生长背景和AlGaN/GaN间2DEG产生机理 | 第21-30页 |
| ·外延生长 | 第21-22页 |
| ·GaN 材料的选择 | 第22页 |
| ·衬底的选择 | 第22-23页 |
| ·Si 衬底上生长AlGaN/GaN 异质结的难点 | 第23-24页 |
| ·Si 衬底上GaN 外延层的两步生长法 | 第24-26页 |
| ·Si 衬底上铺Al | 第24-25页 |
| ·缓冲层的生长 | 第25-26页 |
| ·高温GaN 的生长 | 第26页 |
| ·二维电子气的产生 | 第26-28页 |
| ·极化对二维电子气的影响 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 Si 衬底上生长GaN 外延层 | 第30-40页 |
| ·低温AlN(LT-AlN)缓冲层生长方案 | 第32-34页 |
| ·高温AlN(HT-AlN)缓冲层生长方案 | 第34-37页 |
| ·多次 LT-AlN 插入生长大厚度的 GaN 外延层 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 蓝宝石上生长 AlGaN/GaN 异质结的 C-V 特性 | 第40-47页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的生长 | 第40页 |
| ·实验过程 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-46页 |
| ·XRD 测试结果 | 第41-42页 |
| ·C-V 测试结果 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第6章 结论 | 第47-49页 |
| ·本论文工作总结 | 第47页 |
| ·实验展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第53页 |
