摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-15页 |
第一章 绪论 | 第15-39页 |
·引言 | 第15-16页 |
·石墨烯的结构与性质 | 第16-21页 |
·石墨烯的晶体结构与能带结构 | 第16-18页 |
·石墨烯的特性 | 第18-21页 |
·石墨烯的制备方法 | 第21-26页 |
·微机械剥离方法 | 第22页 |
·化学剥离方法 | 第22-24页 |
·高温退火α-SiC 单晶方法 | 第24-25页 |
·化学气相沉积法 | 第25-26页 |
·石墨烯的应用 | 第26-29页 |
·电子学器件 | 第26-27页 |
·光电材料 | 第27-28页 |
·储能材料 | 第28-29页 |
·碳化硅基稀磁半导体 | 第29-32页 |
·论文选题 | 第32-34页 |
参考文献 | 第34-39页 |
第二章 样品制备及同步辐射结构表征技术和设备 | 第39-57页 |
·引言 | 第39页 |
·分子束外延技术及设备 | 第39-52页 |
·分子束外延的物理过程 | 第39-45页 |
·固源分子束外延设备 | 第45-49页 |
·高能电子衍射 | 第49-52页 |
·同步辐射光电子能谱 | 第52-53页 |
·X 射线吸收精细结构谱 | 第53-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-57页 |
第三章 6H-SIC 单晶表面石墨烯的外延生长 | 第57-79页 |
·引言 | 第57页 |
·碳化硅的结构 | 第57-61页 |
·在6H-SIC(0001)表面外延石墨烯的原位SRPES 研究 | 第61-68页 |
·样品的制备和实验过程 | 第61页 |
·实验结果和讨论 | 第61-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
·退火时间对6H-SIC(0001)面外延的石墨烯结构与形貌的影响 | 第68-76页 |
·样品制备过程 | 第68-69页 |
·实验结果和讨论 | 第69-75页 |
·小结 | 第75-76页 |
·本章小结 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-79页 |
第四章 SI 基衬底上石墨烯薄膜的生长 | 第79-103页 |
·引言 | 第79页 |
·SI(111)衬底上生长石墨烯薄膜 | 第79-86页 |
·样品制备和实验过程 | 第79-80页 |
·实验结果和讨论 | 第80-85页 |
·小结 | 第85-86页 |
·衬底温度对SI 衬底上生长石墨烯薄膜的影响 | 第86-93页 |
·样品制备和实验过程 | 第86页 |
·实验结果和讨论 | 第86-93页 |
·小结 | 第93页 |
·覆盖有氧化层的SI 衬底上石墨烯薄膜的制备 | 第93-98页 |
·样品制备和实验过程 | 第93-94页 |
·实验结果及讨论 | 第94-98页 |
·小结 | 第98页 |
·本章小结 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-103页 |
第五章 蓝宝石衬底上石墨烯薄膜的制备 | 第103-117页 |
·引言 | 第103页 |
·蓝宝石的结构及性质 | 第103-105页 |
·覆盖有SIC 薄膜的蓝宝石高温退火制备石墨烯 | 第105-110页 |
·样品制备和实验过程 | 第105页 |
·实验结果和讨论 | 第105-110页 |
·小结 | 第110页 |
·蓝宝石衬底直接沉积碳原子制备石墨烯薄膜 | 第110-115页 |
·样品制备和实验过程 | 第111页 |
·实验结果及讨论 | 第111-115页 |
·小结 | 第115页 |
·本章小结 | 第115-116页 |
参考文献 | 第116-117页 |
第六章 MN 掺杂SIC 稀磁半导体的制备及结构和磁性研究 | 第117-135页 |
·引言 | 第117页 |
·衬底温度对MN 掺杂SIC 薄膜的影响 | 第117-125页 |
·样品的制备和实验过程 | 第117-118页 |
·实验结果和讨论 | 第118-124页 |
·小结 | 第124-125页 |
·不同杂质浓度对MN 掺杂SIC 薄膜结构与磁性的影响 | 第125-133页 |
·样品的制备和实验过程 | 第125页 |
·实验结果和讨论 | 第125-132页 |
·小结 | 第132-133页 |
·本章小结 | 第133-134页 |
参考文献 | 第134-135页 |
硕博连读期间所发表的论文 | 第135-136页 |
致谢 | 第136-137页 |