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半导体和氧化物表面石墨烯的生长和结构表征及锰掺杂碳化硅稀磁半导体研究

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-15页
第一章 绪论第15-39页
   ·引言第15-16页
   ·石墨烯的结构与性质第16-21页
     ·石墨烯的晶体结构与能带结构第16-18页
     ·石墨烯的特性第18-21页
   ·石墨烯的制备方法第21-26页
     ·微机械剥离方法第22页
     ·化学剥离方法第22-24页
     ·高温退火α-SiC 单晶方法第24-25页
     ·化学气相沉积法第25-26页
   ·石墨烯的应用第26-29页
     ·电子学器件第26-27页
     ·光电材料第27-28页
     ·储能材料第28-29页
   ·碳化硅基稀磁半导体第29-32页
   ·论文选题第32-34页
 参考文献第34-39页
第二章 样品制备及同步辐射结构表征技术和设备第39-57页
   ·引言第39页
   ·分子束外延技术及设备第39-52页
     ·分子束外延的物理过程第39-45页
     ·固源分子束外延设备第45-49页
     ·高能电子衍射第49-52页
   ·同步辐射光电子能谱第52-53页
   ·X 射线吸收精细结构谱第53-55页
   ·本章小结第55-56页
 参考文献第56-57页
第三章 6H-SIC 单晶表面石墨烯的外延生长第57-79页
   ·引言第57页
   ·碳化硅的结构第57-61页
   ·在6H-SIC(0001)表面外延石墨烯的原位SRPES 研究第61-68页
     ·样品的制备和实验过程第61页
     ·实验结果和讨论第61-67页
     ·小结第67-68页
   ·退火时间对6H-SIC(0001)面外延的石墨烯结构与形貌的影响第68-76页
     ·样品制备过程第68-69页
     ·实验结果和讨论第69-75页
     ·小结第75-76页
   ·本章小结第76-77页
 参考文献第77-79页
第四章 SI 基衬底上石墨烯薄膜的生长第79-103页
   ·引言第79页
   ·SI(111)衬底上生长石墨烯薄膜第79-86页
     ·样品制备和实验过程第79-80页
     ·实验结果和讨论第80-85页
     ·小结第85-86页
   ·衬底温度对SI 衬底上生长石墨烯薄膜的影响第86-93页
     ·样品制备和实验过程第86页
     ·实验结果和讨论第86-93页
     ·小结第93页
   ·覆盖有氧化层的SI 衬底上石墨烯薄膜的制备第93-98页
     ·样品制备和实验过程第93-94页
     ·实验结果及讨论第94-98页
     ·小结第98页
   ·本章小结第98-100页
 参考文献第100-103页
第五章 蓝宝石衬底上石墨烯薄膜的制备第103-117页
   ·引言第103页
   ·蓝宝石的结构及性质第103-105页
   ·覆盖有SIC 薄膜的蓝宝石高温退火制备石墨烯第105-110页
     ·样品制备和实验过程第105页
     ·实验结果和讨论第105-110页
     ·小结第110页
   ·蓝宝石衬底直接沉积碳原子制备石墨烯薄膜第110-115页
     ·样品制备和实验过程第111页
     ·实验结果及讨论第111-115页
     ·小结第115页
   ·本章小结第115-116页
 参考文献第116-117页
第六章 MN 掺杂SIC 稀磁半导体的制备及结构和磁性研究第117-135页
   ·引言第117页
   ·衬底温度对MN 掺杂SIC 薄膜的影响第117-125页
     ·样品的制备和实验过程第117-118页
     ·实验结果和讨论第118-124页
     ·小结第124-125页
   ·不同杂质浓度对MN 掺杂SIC 薄膜结构与磁性的影响第125-133页
     ·样品的制备和实验过程第125页
     ·实验结果和讨论第125-132页
     ·小结第132-133页
   ·本章小结第133-134页
 参考文献第134-135页
硕博连读期间所发表的论文第135-136页
致谢第136-137页

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