| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| §1-1 GaN晶体结构和性质 | 第10-15页 |
| 1-1-1 引言 | 第10-11页 |
| 1-1-2 GaN晶体的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1-1-3 GaN晶体的能带结构 | 第12-14页 |
| 1-1-4 GaN晶体的化学性质 | 第14页 |
| 1-1-5 GaN晶体的电学性质 | 第14页 |
| 1-1-6 GaN晶体的光学性质 | 第14-15页 |
| §1-2 GaN晶体的制备方法及其进展 | 第15-23页 |
| 1-2-1 熔体法 | 第15页 |
| 1-2-2 异质外延及衬底 | 第15-16页 |
| 1-2-3 异质外延的常用方法 | 第16-18页 |
| 1-2-4 HVPE法制备GaN的研究进展 | 第18-20页 |
| 1-2-5 提高异质外延质量的常用方法 | 第20-22页 |
| 1-2-6 ELOG技术的研究进展 | 第22-23页 |
| §1-3 自支撑衬底技术及研究进展 | 第23-25页 |
| 1-3-1 自支撑衬底技术 | 第24页 |
| 1-3-2 自支撑衬底技术的研究进展 | 第24-25页 |
| §1-4 本文主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 GaN厚膜性能表征技术 | 第27-36页 |
| §2-1 DCXRD技术原理 | 第27-31页 |
| §2-2 SEM技术的原理 | 第31-32页 |
| §2-3 AFM技术原理 | 第32-33页 |
| §2-4 Hall效应测试原理 | 第33-34页 |
| §2-5 光致发光 | 第34-35页 |
| §2-6 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 缓冲层的制备 | 第36-56页 |
| §3-1 射频磁控溅射法原理 | 第36-37页 |
| §3-2 蓝宝石（0001）衬底上的RF-ZnO缓冲层制备 | 第37-44页 |
| 3-2-1 射频磁控溅射ZnO缓冲层的工艺 | 第37-38页 |
| 3-2-2 射频磁控溅射ZnO缓冲层的表面形貌表征 | 第38-41页 |
| 3-2-3 射频磁控溅射ZnO缓冲层的XRD表征 | 第41-44页 |
| §3-3 Si（111）衬底上RF-ZnO/LT-GaN复合缓冲层制备 | 第44-51页 |
| §3-4 蓝宝石（0001）衬底氮化后LT-GaN缓冲层制备 | 第51-53页 |
| §3-5 TiN 掩膜的制备 | 第53-55页 |
| §3-6 小结 | 第55-56页 |
| 第四章 GaN的HVPE外延生长 | 第56-68页 |
| §4-1 HVPE外延技术的原理 | 第56-57页 |
| §4-2 HVPE的热力学理论 | 第57-58页 |
| §4-3 HVPE的动力学理论 | 第58-60页 |
| §4-4 HVPE法制备GaN的影响因素 | 第60-67页 |
| 4-4-1 生长温度 | 第60-62页 |
| 4-4-2 V/III比值 | 第62-63页 |
| 4-4-3 载气因素 | 第63-67页 |
| §4-5 小结 | 第67-68页 |
| 第五章GaN厚膜位错的表征 | 第68-81页 |
| §5-1 DCXRD测量厚膜位错密度 | 第68-75页 |
| 5-1-1 FWHM和位错密度的关系 | 第68-69页 |
| 5-1-2 位错加宽DCXRD衍射峰的计算 | 第69-75页 |
| §5-2 EPD法估算厚膜位错密度 | 第75-78页 |
| 5-2-1 浸蚀坑法显示位错的原理 | 第75-77页 |
| 5-2-2 EPD法估算HVPE-GaN的位错密度 | 第77-78页 |
| §5-3 外延GaN膜位错产生的机理 | 第78-80页 |
| 5-3-1 外延层的平衡位错密度与临界厚度 | 第78-79页 |
| 5-3-2 外延层的应变弛豫产生裂纹 | 第79-80页 |
| §5-4 小结 | 第80-81页 |
| 第六章GaN厚膜的光电性能研究 | 第81-89页 |
| §6-1 GaN光致发光的机理和发光峰特点 | 第81-85页 |
| 6-1-1 光致发光的机理 | 第81-84页 |
| 6-1-2 GaN的光致发光光谱的特点 | 第84-85页 |
| §6-2 GaN厚膜的常温PL分析 | 第85-87页 |
| §6-3 GaN厚膜的常温Hall测试分析 | 第87-88页 |
| §6-4 小结 | 第88-89页 |
| 第七章GaN厚膜的剥离 | 第89-95页 |
| §7-1 GaN厚膜的激光剥离 | 第89-93页 |
| 7-1-1 GaN的激光剥离技术原理 | 第89-91页 |
| 7-1-2 GaN厚膜的激光剥离 | 第91-93页 |
| §7-2 GaN厚膜的酸腐蚀剥离 | 第93-94页 |
| §7-3 小结 | 第94-95页 |
| 第八章 结论 | 第95-98页 |
| §8-1 结论 | 第95-96页 |
| 8-1-1 论文主要结果 | 第95-96页 |
| 8-1-2 论文的创新性成果与创新性见解 | 第96页 |
| §8-2 展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第112页 |
