氮化镓LED中极化效应的理论模拟
| 目录 | 第1-7页 |
| CONTENT | 第7-10页 |
| 中文摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 符号说明 | 第14-16页 |
| 第1章 前言 | 第16-22页 |
| ·半导体技术的重要应用领域 | 第16-17页 |
| ·第一次飞跃—以硅材料为基础的微电子技术 | 第16页 |
| ·第二次飞跃—以GaAs为基础的光电子技术 | 第16-17页 |
| ·第三次飞跃—宽带隙GaN材料的发展 | 第17页 |
| ·本论文的研究背景 | 第17-19页 |
| ·本论文的研究可行性 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要内容 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第2章 物理模型 | 第22-42页 |
| ·模拟方法简介 | 第22页 |
| ·量子阱kp理论 | 第22-33页 |
| ·布洛赫定理 | 第22-24页 |
| ·闪锌矿结构的两能带模型 | 第24-26页 |
| ·闪锌矿结构的三能带和四能带模型 | 第26-28页 |
| ·纤锌矿结构的三能带模型 | 第28-33页 |
| ·量子阱模型 | 第33-35页 |
| ·氮化镓材料的极化效应 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第3章 氮化镓LED模型的建立与极化效应的模拟 | 第42-58页 |
| ·氮化镓LED模型建立和物质参数设置 | 第42-46页 |
| ·氮化镓基半导体材料禁带宽度的设置 | 第43-44页 |
| ·能带阶差与极化电荷的设置 | 第44页 |
| ·SRH过程中载流子寿命与背景吸收系数的设置 | 第44-45页 |
| ·其他参数 | 第45-46页 |
| ·氮化镓LED原始结构与其极化效应的模拟分析 | 第46-54页 |
| ·原始结构模拟 | 第46-50页 |
| ·极化电场强度对器件的影响 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第4章 氮化镓LED结构创新与模拟 | 第58-77页 |
| ·已提出的改善氮化镓LED内效衰减的措施 | 第58-63页 |
| ·使用p-AlGaN取代n-AlGaN | 第58-59页 |
| ·空间层GaN进行p掺杂 | 第59-61页 |
| ·量子垒p掺杂提高量子效率 | 第61-62页 |
| ·InGaN量子垒取代GaN量子垒 | 第62-63页 |
| ·氮化镓LED的创新结构与模拟结果 | 第63-75页 |
| ·Al组分渐变电子阻挡层结构 | 第63-68页 |
| ·量子垒高度渐变的氮化镓LED结构 | 第68-72页 |
| ·非对称量子垒结构的探索与模拟 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第5章 总结与展望 | 第77-79页 |
| ·本论文主要的工作 | 第77页 |
| ·本论文的创新点 | 第77-78页 |
| ·存在的问题与对未来工作的展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第80-81页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第81页 |
