| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·BN 的同素异构体 | 第9-10页 |
| ·h-BN 研究的发展及现状 | 第10-13页 |
| ·应力对材料性质的影响 | 第13-14页 |
| ·磁阻效应 | 第14-17页 |
| ·巨磁阻效应简述 | 第14-16页 |
| ·隧穿磁阻效应(TMR) | 第16-17页 |
| ·本文的目的和研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 理论和计算方法 | 第19-28页 |
| ·第一性原理方法 | 第19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-22页 |
| ·Hohenberg-Kohn(HK)定理 | 第19-20页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第20-21页 |
| ·局域密度近似与广义梯度近似 | 第21-22页 |
| ·非平衡格林函数 | 第22-24页 |
| ·Landauer 模型 | 第22-23页 |
| ·非平衡格林函数 | 第23-24页 |
| ·表征材料光学性质的物理量 | 第24-25页 |
| ·相关软件包简介 | 第25-28页 |
| ·VASP 软件包 | 第25-26页 |
| ·ATK 软件包 | 第26-28页 |
| 第3章 流体静压力对h-BN 的电子结构和光学性质的影响 | 第28-39页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·理论方法与模型 | 第28-29页 |
| ·流体静压力对h-BN 的结构、电子性质和光学性质的影响 | 第29-38页 |
| ·流体静压力对h-BN 结构性质的影响 | 第29-30页 |
| ·流体静压力对h-BN 电子性质的影响 | 第30-35页 |
| ·流体静压力对h-BN 光学性质的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 单轴应力对h-BN 的电子结构和光学性质的影响 | 第39-48页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·理论方法和模型 | 第39-40页 |
| ·单轴应力对h-BN 结构性质的影响 | 第40页 |
| ·单轴应力对h-BN 电子性质的影响 | 第40-45页 |
| ·单轴应力对h-BN 光学性质的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 双层h-BN 的隧穿磁阻效应对单轴应变的线性响应 | 第48-56页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·理论方法 | 第49页 |
| ·基于bi-BN 的MTJs 的结构性质 | 第49-50页 |
| ·单轴应变下的基于bi-BN 的MTJs 传输电导 | 第50-51页 |
| ·单轴应变下的bi-BN 的能带结构 | 第51-52页 |
| ·单轴应变下的Ni|AA|Ni MTJs 的k_(||)-resolved 传输电导 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第6章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·总结 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历、攻读硕士期间完成的论文及获奖情况 | 第65页 |
