摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 综述 | 第12-42页 |
第一节 自旋电子学与稀磁半导体简介 | 第12-17页 |
·自旋电子学概述 | 第12-15页 |
·稀磁半导体的研究现状 | 第15-17页 |
第二节 ZnO基稀磁半导体材料研究现状 | 第17-27页 |
·ZnO材料简介 | 第17-20页 |
·ZnO基稀磁半导体材料研究现状 | 第20-27页 |
第三节 稀磁半导体铁磁性的理论模型 | 第27-40页 |
·局域磁性理论模型 | 第27-38页 |
·非局域磁性理论模型 | 第38-40页 |
第四节 本论文的主要工作 | 第40-42页 |
第二章 薄膜的制备、结构表征与物性测量 | 第42-53页 |
第一节 稀磁半导体薄膜的制备 | 第42-43页 |
·磁控溅射的原理及特点 | 第42页 |
·制备方法 | 第42-43页 |
第二节 结构表征与物性测量 | 第43-53页 |
·结构表征 | 第43-49页 |
·光学性质测量 | 第49-51页 |
·低温技术及输运特性的测量 | 第51-53页 |
第三章 Cr掺杂ZnO稀磁半导体薄膜研究 | 第53-74页 |
第一节 Cr掺杂ZnO样品的物理性能表征 | 第53-68页 |
·结构表征 | 第53-58页 |
·成分及价态 | 第58-61页 |
·光学性质 | 第61-63页 |
·磁学性质 | 第63-68页 |
第二节 退火对薄膜磁性的影响 | 第68-71页 |
·结构表征 | 第68-69页 |
·光学性质 | 第69-70页 |
·磁学性质 | 第70-71页 |
第三节 铁磁性耦合机理探讨 | 第71-73页 |
本章小结 | 第73-74页 |
第四章 结构缺陷对薄膜铁磁性的影响 | 第74-85页 |
第一节 氧气分压对薄膜磁性的影响 | 第74-81页 |
·结构表征 | 第75-76页 |
·磁学性质 | 第76-80页 |
·电学性质 | 第80-81页 |
第二节 铁磁性耦合机理探讨 | 第81-84页 |
·荧光光谱分析 | 第81-83页 |
·机理探讨 | 第83-84页 |
本章小结 | 第84-85页 |
第五章 Zn/ZnO双层膜、多层膜性质研究 | 第85-97页 |
第一节 Zn/ZnO双层薄膜的物理性能表征 | 第85-91页 |
·结构表征 | 第85-88页 |
·磁学性质 | 第88-91页 |
第二节 [Zn/ZnO]_3多层薄膜的物理性能表征 | 第91-94页 |
·结构表征 | 第91-92页 |
·磁学性质 | 第92-94页 |
第三节 铁磁性机理探讨 | 第94-96页 |
本章小结 | 第96-97页 |
第六章 Zn_x(ZnO)_(1-x)颗粒膜铁磁性机理研究 | 第97-112页 |
第一节 Zn_x(ZnO)_(1-x)颗粒膜的物理性能表征 | 第97-103页 |
·结构表征 | 第97-98页 |
·成分及价态 | 第98-100页 |
·磁学性质 | 第100-101页 |
·荧光光谱研究 | 第101-103页 |
·电学性质 | 第103页 |
第二节 退火对薄膜性能的影响 | 第103-106页 |
·退火对薄膜磁性的影响 | 第103-105页 |
·退火对薄膜结构的影响 | 第105-106页 |
第三节 材料铁磁性耦合机制的探讨 | 第106-111页 |
本章小结 | 第111-112页 |
第七章 总结 | 第112-114页 |
参考文献 | 第114-123页 |
致谢 | 第123-124页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第124-125页 |