SiC衬底外延生长GaN界面结构的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·宽禁带半导体 | 第11-13页 |
| ·碳化硅的结构 | 第11-12页 |
| ·氮化镓的结构 | 第12-13页 |
| ·宽禁带半导体的特点 | 第13页 |
| ·SiC的研究现状 | 第13-16页 |
| ·GaN的研究现状 | 第16-17页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第2章 实验原理 | 第18-28页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·密度泛函理论（DFT） | 第18-24页 |
| ·Hohenberg-Kohn 理论 | 第18-21页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第21-23页 |
| ·广义梯度近似（GGA） | 第23-24页 |
| ·基组与赝势 | 第24-27页 |
| ·基组 | 第24-25页 |
| ·赝势 | 第25-27页 |
| ·CASTEP软件包 | 第27-28页 |
| 第3章 SiC和GaN电学性能研究 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·SiC的能带结构和态密度分布 | 第28-32页 |
| ·3C-SiC的晶体结构 | 第28-29页 |
| ·3C-SiC能带结构与能态密度 | 第29-30页 |
| ·4H-SiC的晶体结构 | 第30-31页 |
| ·4H-SiC的能带结构与能态密度 | 第31-32页 |
| ·GaN的能带结构和态密度分布图 | 第32-35页 |
| ·3C-GaN的晶体结构 | 第32-33页 |
| ·3C-GaN的能带结构与能态密度 | 第33-34页 |
| ·4H-GaN的晶体结构 | 第34页 |
| ·4H-GaN的能带结构与能态密度 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 SiC/GaN界面性能研究 | 第37-54页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·SiC/GaN界面的原子结合 | 第37-41页 |
| ·界面原子结合分类 | 第37-38页 |
| ·模型的构造与参数选择 | 第38-41页 |
| ·SiC/GaN吸附界面 | 第41-42页 |
| ·界面结合能的计算 | 第42页 |
| ·Si/N原子结合的界面 | 第42-49页 |
| ·Si原子TOP位吸附N原子 | 第42-47页 |
| ·Si原子BRIDGE位吸附N原子 | 第47-49页 |
| ·C/N原子结合的界面 | 第49-52页 |
| ·C原子TOP位吸附N原子 | 第49-52页 |
| ·C原子BRIDGE位吸附N原子 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
