4H-SiC外延材料低位错密度关键技术研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·研究背景 | 第12-15页 |
| ·SiC材料基本特性及应用 | 第12-13页 |
| ·SiC材料单晶生长的发展 | 第13页 |
| ·SiC材料外延生长的发展 | 第13-15页 |
| ·4H-SiC材料中缺陷对器件性能的影响 | 第15页 |
| ·国内外低BPD密度外延生长的研究现状与存在问题 | 第15-17页 |
| ·国外低BPD密度外延生长的研究现状 | 第15-16页 |
| ·国内低BPD密度外延生长的研究现状 | 第16页 |
| ·需要解决的问题 | 第16-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-20页 |
| 第二章 4H-SiC材料晶体结构及缺陷类型 | 第20-34页 |
| ·4H-SiC材料晶体结构 | 第20-23页 |
| ·位错理论 | 第23-28页 |
| ·刃型位错的模型 | 第23-24页 |
| ·螺型位错的模型 | 第24页 |
| ·混合位错的模型 | 第24-25页 |
| ·位错的伯格斯矢量 | 第25-26页 |
| ·位错的弹性应变能 | 第26-28页 |
| ·4H-SiC材料中的缺陷 | 第28-32页 |
| ·密排六方晶体中的位错 | 第28-29页 |
| ·4H-SiC材料中缺陷类型 | 第29-31页 |
| ·4H-SiC材料中位错的腐蚀特点 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 4H-SiC材料缺陷的无损表征研究 | 第34-56页 |
| ·研究现状与存在问题 | 第34页 |
| ·缺陷无损表征技术的选择 | 第34-41页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第35-36页 |
| ·阴极荧光技术(CL) | 第36-39页 |
| ·同步辐射白光形貌技术(SWBXT) | 第39-41页 |
| ·4H-SiC材料中缺陷的无损表征研究 | 第41-54页 |
| ·实验条件 | 第41页 |
| ·实验结果 | 第41-45页 |
| ·位错的刻蚀形貌观察 | 第45-48页 |
| ·影响CL成像分析 | 第48-51页 |
| ·BPD的CL谱分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 低BPD密度控制方法研究 | 第56-68页 |
| ·研究背景 | 第56-57页 |
| ·位错延伸和转化机理的研究 | 第57-61页 |
| ·4H-SiC材料外延层中位错弹性能 | 第57-59页 |
| ·4H-SiC材料中位错的伯格斯矢量 | 第59页 |
| ·4H-SiC材料中位错延伸与转化机理讨论 | 第59-61页 |
| ·降低BPD密度方法研究 | 第61-66页 |
| ·掺杂浓度阶梯渐变的方法 | 第61-64页 |
| ·选择性刻蚀的方法 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 低BPD密度外延生长研究 | 第68-80页 |
| ·实验条件与外延生长工艺 | 第68-70页 |
| ·实验条件 | 第68-69页 |
| ·选择性刻蚀外延生长工艺 | 第69-70页 |
| ·实验结果与分析 | 第70-77页 |
| ·BPD分析 | 第70-72页 |
| ·TED分析 | 第72-74页 |
| ·SF分析 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 第六章 结束语 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-94页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第94-95页 |
| 一、科研论文 | 第94页 |
| 二、完成的专利申请 | 第94-95页 |
| 二、奖励和荣誉 | 第95页 |
| 三、参加的科研项目 | 第95页 |
