| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| ·研究目的与意义 | 第8-9页 |
| ·半导体中缺陷及研究方法 | 第9-14页 |
| ·半导体中缺陷 | 第9-11页 |
| ·点缺陷实验检测手段 | 第11-12页 |
| ·点缺陷的第一性原理研究方法 | 第12-14页 |
| ·Bi_2Se_3 的p-型掺杂研究进展 | 第14-18页 |
| 第2章 多电子体系电子结构计算理论 | 第18-26页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·绝热近似 | 第18-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-23页 |
| ·从波函数到电子密度 | 第19-20页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理：多体理论 | 第20页 |
| ·Kohn-Sham 方程：有效单体理论 | 第20-22页 |
| ·局域密度近似（LDA）与广义梯度近似（GGA） | 第22-23页 |
| ·赝势 | 第23-26页 |
| ·模守恒赝势 | 第24-25页 |
| ·超软赝势 | 第25-26页 |
| 第3章 赝势生成及检验 | 第26-37页 |
| ·赝势生成方法 | 第26-27页 |
| ·Mg PBE-GGA 型赝势 | 第27-30页 |
| ·赝势生成 | 第27页 |
| ·赝势检验 | 第27-30页 |
| ·Bi, Se 赝势 | 第30-35页 |
| ·Bi、Se 赝势生成 | 第30-31页 |
| ·Se 赝势的检验 | 第31-32页 |
| ·Bi 赝势的检验 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 Bi_2Se_3的本征缺陷及掺杂 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·计算模型 | 第38页 |
| ·计算细节 | 第38-40页 |
| ·Bi_2Se_3 的本征缺陷 | 第40-42页 |
| ·Bi 和Se 化学势变化范围 | 第40-41页 |
| ·计算结果与讨论 | 第41-42页 |
| ·Ca 对Bi_2Se_3 的掺杂 | 第42-46页 |
| ·Ca、Se、Bi 化学势变化范围 | 第42-43页 |
| ·Ca 掺入Bi_2Se_3 的缺陷形成能 | 第43-46页 |
| ·Mg 掺杂Bi_2Se_3 | 第46-48页 |
| ·Mg、Se、Bi 化学势的范围 | 第46页 |
| ·Mg 掺入Bi_2Se_3 的形成能 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 Bi_2Se_3晶体及Mg 掺杂Bi_2Se_3晶体的制备尝试 | 第49-54页 |
| ·Bi_2Se_3 晶体生长方法 | 第49-50页 |
| ·实验设备与生长工艺 | 第50-51页 |
| ·实验结果与讨论 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60页 |