PECVD法制备氢化非晶硅薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·非晶硅薄膜材料 | 第11-15页 |
| ·非晶硅的结构及性质 | 第11-13页 |
| ·氢化非晶硅的生长模式 | 第13-14页 |
| ·非晶硅基薄膜材料光致亚稳态的产生机制 | 第14-15页 |
| ·常用的制备方法 | 第15-17页 |
| ·本课题的研究目的及主要内容 | 第17-18页 |
| 第2章 非晶硅薄膜制备的实验设计 | 第18-27页 |
| ·等离子增强化学气相沉积系统 | 第18-19页 |
| ·实验探索及实验设计 | 第19-22页 |
| ·实验流程 | 第22-24页 |
| ·实验所用材料和设备 | 第22-23页 |
| ·实验流程 | 第23-24页 |
| ·性能表征 | 第24-26页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第24页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第24页 |
| ·傅立叶红外光谱测试 | 第24-25页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第25页 |
| ·薄膜透过率、折射率测试 | 第25页 |
| ·电导率测试 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 氢化非晶硅薄膜的表征研究 | 第27-40页 |
| ·XRD 分析 | 第27-28页 |
| ·Raman 分析 | 第28-29页 |
| ·工艺参数对薄膜性能的影响 | 第29-38页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第33-35页 |
| ·射频功率对薄膜性能的影响 | 第35-36页 |
| ·反应室气压 对薄膜性能的影响 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 异质衬底上制备非晶硅薄膜结构与性能分析 | 第40-51页 |
| ·实验过程 | 第40-41页 |
| ·样品制备 | 第40页 |
| ·工艺过程 | 第40-41页 |
| ·薄膜微观结构分析 | 第41-47页 |
| ·异质衬底上所制薄膜光学性质分析 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 本征微晶薄膜材料生长的探索性研究 | 第51-57页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·国内外微晶硅薄膜材料的制备方法 | 第51-52页 |
| ·微晶硅薄膜具体制备工艺 | 第52页 |
| ·结果分析 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
