| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-33页 |
| ·课题背景 | 第13-14页 |
| ·InAs/In_xGa_(1-x)Sb 红外探测材料的特性 | 第14-15页 |
| ·国内外研究现状 | 第15-27页 |
| ·InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格材料的研究进展 | 第15-17页 |
| ·外延生长模式 | 第17-19页 |
| ·外延生长的扩散过程 | 第19-20页 |
| ·外延层的成分 | 第20-22页 |
| ·外延层界面类型 | 第22-24页 |
| ·外延层界面形貌和界面结构 | 第24-27页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备方法 | 第27-32页 |
| ·脉冲激光沉积法（LPD） | 第28-29页 |
| ·金属有机化学气相沉积外延技术（MOVCD） | 第29-31页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第31-32页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第32-33页 |
| 第2章 超晶格材料的制备技术与测试方法 | 第33-47页 |
| ·超晶格材料的制备 | 第33-35页 |
| ·MBE 技术原理 | 第33-34页 |
| ·MBE 的设备结构 | 第34-35页 |
| ·MBE 的影响因素 | 第35页 |
| ·超晶格材料结构的表征 | 第35-42页 |
| ·透射电子显微镜的基本结构 | 第35-37页 |
| ·透射电子显微镜的工作原理 | 第37-39页 |
| ·选区电子衍射 | 第39页 |
| ·Z 衬度像的成像原理 | 第39-41页 |
| ·高分辨透射电子显微镜操作过程 | 第41页 |
| ·透射电子显微镜样品的制备 | 第41-42页 |
| ·晶体结构和高分辨像的模拟 | 第42-43页 |
| ·X 射线衍射技术 | 第43-44页 |
| ·红外光谱 | 第44-46页 |
| ·光致发光谱 | 第46-47页 |
| 第3章 InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格薄膜制备及其光学性能 | 第47-67页 |
| ·衬底的选择 | 第47-48页 |
| ·MBE 各源束流的控制 | 第48-49页 |
| ·生长温度的控制 | 第49-50页 |
| ·生长速率的控制 | 第50-51页 |
| ·层厚的设计 | 第51-53页 |
| ·界面类型的控制 | 第53-54页 |
| ·外延层生长质量的表征 | 第54-61页 |
| ·外延层光学性能的分析 | 第61-66页 |
| ·红外光谱 | 第61-63页 |
| ·光致发光光谱 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第4章 InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格显微结构分析 | 第67-94页 |
| ·透射电子显微镜对材料体系生长质量的评估 | 第67-68页 |
| ·晶体生长取向的表征 | 第68-69页 |
| ·Z 衬度像对成分的标定 | 第69-71页 |
| ·衬底与过渡层之间显微结构的分析 | 第71-75页 |
| ·GaAs(001)衬底与过渡层之间显微结构的分析 | 第71-73页 |
| ·GaSb(001)衬底与过渡层之间显微结构的分析 | 第73-75页 |
| ·不同界面类型对显微结构的影响 | 第75-78页 |
| ·界面类型的辨别 | 第75-76页 |
| ·InSb 型界面结构特征 | 第76-77页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 型界面结构特征 | 第77-78页 |
| ·界面处化学键构型对显微结构的影响 | 第78-86页 |
| ·化学键构型的定义 | 第78-79页 |
| ·化学键构型的控制 | 第79-84页 |
| ·不同化学键构型对显微结构的影响 | 第84-86页 |
| ·原子面间距测量法评估合金层的In 含量 | 第86-89页 |
| ·高分辨透射电子显微镜对应变分布的分析 | 第89-93页 |
| ·近过渡层区域超晶格各层之间的应变分布状况 | 第89-90页 |
| ·超晶格各层之间的应变分布状况 | 第90-92页 |
| ·近盖层区域超晶格各层之间的应变分布状况 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第5章 InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格高分辨像的模拟 | 第94-114页 |
| ·InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格结构模型的构建 | 第94-102页 |
| ·InAs 晶体结构模型的构建 | 第94页 |
| ·InAs 电子衍射谱的模拟 | 第94-95页 |
| ·InAs 晶体的高分辨像模拟 | 第95-98页 |
| ·In_(0.25)Ga_(0.75)Sb 晶体结构模型的构建 | 第98页 |
| ·In_(0.25)Ga_(0.75)Sb 电子衍射谱的模拟 | 第98-100页 |
| ·In_(0.25)Ga_(0.75)Sb 晶体高分辨像的模拟 | 第100-101页 |
| ·超晶胞结构的构建 | 第101-102页 |
| ·界面类型高分辨像的模拟 | 第102-106页 |
| ·构建InSb 型界面的超晶胞模型 | 第102-103页 |
| ·InSb 型界面结构高分辨像的模拟与分析 | 第103-105页 |
| ·构建In_xGa_(1-x)As 型界面的超晶胞模型 | 第105-106页 |
| ·In_xGa_(1-x)As 型界面结构高分辨像的模拟与分析 | 第106页 |
| ·界面结构高分辨像的模拟 | 第106-112页 |
| ·模拟InSb 型界面结构的特征 | 第108页 |
| ·模拟In_xGa_(1-x)As 型界面结构的特征 | 第108-109页 |
| ·界面结构特征的分析 | 第109-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 结论 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-125页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 个人简历 | 第128页 |
