| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| ACKNOWLEDGEMENTS | 第8-12页 |
| NOMENCLATURE | 第12-15页 |
| LIST OF TABLES | 第15-16页 |
| LIST OF FIGURES | 第16-19页 |
| CHAPTER 1 INTORDUCTION | 第19-29页 |
| ·Background | 第19页 |
| ·Properties of SiC | 第19-21页 |
| ·Applications of SiC | 第21-22页 |
| ·Electronic Applications | 第21-22页 |
| ·Optoelectronic Applications | 第22页 |
| ·SiC Crystal Growth | 第22-24页 |
| ·History of SiC Growth | 第22-23页 |
| ·Physical Vapor Transport Method | 第23-24页 |
| ·Literature Review | 第24-27页 |
| ·Research Objectives and Approach | 第27-29页 |
| CHAPTER 2 SIMULATION OF THERMAL FIELD | 第29-55页 |
| ·Heat Transfer Model | 第29-31页 |
| ·Basic Equations | 第29-30页 |
| ·Boundary Conditions | 第30-31页 |
| ·Flow and Species Transport Model | 第31-35页 |
| ·Basic Equations | 第31-33页 |
| ·Boundary Conditions | 第33-35页 |
| ·Numerical Simulation of Temperature Field | 第35-48页 |
| ·Distribution of Temperature | 第35-39页 |
| ·Influence of Operating Factors on Growth Rate | 第39-44页 |
| ·Simulation of Transient Growth Process | 第44-48页 |
| ·Powder Evolution during Growth | 第48-53页 |
| ·Summary | 第53-55页 |
| CHAPTER 3 SIMULATION OF ELASTIC STRESS AND DISLOCATION | 第55-64页 |
| ·Physical and Mathematical Model of Thermoelastic Strain | 第55-58页 |
| ·Basic Equations | 第55-56页 |
| ·Boundary Conditions | 第56-58页 |
| ·Dislocation Density Linear Model | 第58-59页 |
| ·Numerical Simulation of Thermal Stress Field | 第59-63页 |
| ·Summary | 第63-64页 |
| CHAPTER 4 EFFECTS OF SIC GROWTH SYSTEM | 第64-74页 |
| ·Effects of Crucible Parameters | 第64-71页 |
| ·Effects of Crucible Wall Thickness | 第64-67页 |
| ·Effects of Crucible Positions | 第67-71页 |
| ·Effects of Top Window Diameter | 第71-73页 |
| ·Summary | 第73-74页 |
| CHAPTER 5 CONCLUSION | 第74-78页 |
| ·Conclusions | 第74-76页 |
| ·Heat and Mass Transfer in SiC Growth System | 第74-75页 |
| ·Thermoelastic Stress and Dislocation Dynamics | 第75页 |
| ·Equipment Parameters Factors | 第75-76页 |
| ·Future Research | 第76-78页 |
| References | 第78-83页 |
