| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-31页 |
| ·集成电路 | 第10-11页 |
| ·低介电常数材料研究进展及其性能 | 第11-16页 |
| ·多孔低介电常数材料简介 | 第16-17页 |
| ·多孔低介电常数薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| ·介电常数材料的研究手段 | 第20-29页 |
| ·本文研究主要目的和内容 | 第29-31页 |
| 2 多孔薄膜分形结构的基本理论 | 第31-42页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·分形理论基本概念 | 第32页 |
| ·多孔结构的经典分形模型 | 第32-40页 |
| ·分形模型应用和实验实现 | 第40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 3 正电子偶素在多孔甲基硅倍半氧烷MSQ薄膜中的扩散研究 | 第42-62页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·正电子在聚合物中的湮灭、扩散等基本性质 | 第44-49页 |
| ·正电子偶素在MSQ多孔薄膜中的形成和扩散 | 第49-53页 |
| ·模型中的参数 | 第53-59页 |
| ·模型预测的MSQ薄膜正电子偶素强度随致孔剂比重的变化 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 4 多孔结构对低介电常数多孔薄膜电、热性能的影响 | 第62-86页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·多孔材料的介电常数表征 | 第63-68页 |
| ·多孔结构有效介电常数计算模型 | 第68-81页 |
| ·模型对低介电常数材料有效热导率的预测 | 第81-84页 |
| ·结论 | 第84-86页 |
| 5 耐高温高频多孔氮化铝/氮化硼/碳硅氧化物低介电常数材料的研究 | 第86-97页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·氮化铝ALN/氮化硼BN/碳硅氧化硅SIOC的性能介绍 | 第87-90页 |
| ·多孔氮化铝ALN/氮化硼BN/碳硅氧化硅SIOC的实验制备 | 第90-95页 |
| ·结果与分析 | 第95-96页 |
| ·结论 | 第96-97页 |
| 6 总结与展望 | 第97-101页 |
| ·总结 | 第97-98页 |
| ·本文的创新之处 | 第98-99页 |
| ·展望 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-110页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文 | 第110页 |
