| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-34页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第14-17页 |
| ·ZnO 材料和器件的研究进展 | 第17-32页 |
| ·高质量ZnO 薄膜的研究进展 | 第17-18页 |
| ·p 型ZnO 的研究进展 | 第18-25页 |
| ·ZnO 发光和激光器件的研究进展 | 第25-32页 |
| ·ZnO 薄膜研究中存在的问题和发展趋势 | 第32-33页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第33-34页 |
| 第二章 等离子体辅助分子束外延及常用的样品表征手段 | 第34-54页 |
| ·ZnO 薄膜制备设备 | 第34-42页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第34页 |
| ·分子束外延的原理 | 第34-37页 |
| ·等离子体辅助的分子束外延（P-MBE） | 第37-38页 |
| ·等离子体辅助分子束外延设备的总体结构 | 第38-40页 |
| ·MBE 的发展史 | 第40-41页 |
| ·MBE 的应用 | 第41-42页 |
| ·样品的分析和表征手段 | 第42-52页 |
| ·结构特性的表征：X 射线衍射谱(XRD) | 第42-43页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第43-45页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第45-47页 |
| ·二次离子质谱（SIMS） | 第47-48页 |
| ·吸收和透射光谱 | 第48-49页 |
| ·霍耳效应(Hall Effect) | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 未掺杂 ZnO 薄膜的电学特性研究 | 第54-70页 |
| ·半导体中基本的电学理论 | 第54-58页 |
| ·半导体中载流子的统计平衡分布 | 第54-58页 |
| ·未掺杂ZnO 中高背景电子浓度来源的分析 | 第58-68页 |
| ·未掺杂ZnO 的电学特性随膜厚变化的分析 | 第58-61页 |
| ·未掺杂ZnO 的双层导电模型理论 | 第61-62页 |
| ·拟合的结果与讨论 | 第62-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 N 掺杂 P 型 ZnO 薄膜的制备及光电特性研究 | 第70-82页 |
| ·N 掺杂p 型ZnO 薄膜的制备工艺 | 第71-72页 |
| ·利用NO 气体制备p 型ZnO | 第72-76页 |
| ·不同NO 流量下制备的N 掺杂ZnO 的表征及分析 | 第72-74页 |
| ·改变Zn 源温度制备p 型ZnO | 第74-76页 |
| ·改进生长方式制备电学特性优良的N 掺杂的p 型ZnO | 第76-81页 |
| ·探索提高N 掺杂p 型ZnO 电学特性的生长方式 | 第77-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 N 掺杂 ZnO 中施主补偿机制的研究 | 第82-90页 |
| ·N 掺杂ZnO 中施主补偿源的分析 | 第82-88页 |
| ·原生N 掺杂ZnO 薄膜的结构表征 | 第83页 |
| ·样品的电学特性表征和分析 | 第83-85页 |
| ·样品掺杂的化学成分表征与分析 | 第85-86页 |
| ·样品光学特性的表征与分析 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 结论与展望 | 第90-92页 |
| ·全文结论 | 第90-91页 |
| ·研究展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-102页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第102-103页 |
| 指导教师及作者简介 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
