| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-45页 |
| ·GaN 材料概述及应用 | 第16-25页 |
| ·一维GaN 材料的研究概况 | 第25-41页 |
| ·稀土元素的基本性质及应用 | 第41-42页 |
| ·选题依据及研究内容 | 第42-45页 |
| 第二章 实验技术设备及测试表征方法 | 第45-54页 |
| ·磁控溅射技术 | 第45-47页 |
| ·实验设备及实验试剂简介 | 第47-50页 |
| ·测试表征手段 | 第50-54页 |
| 第三章 一维Dy 掺杂GaN 纳米结构的研究 | 第54-72页 |
| ·一维Dy 掺杂GaN 纳米结构的制备 | 第54-55页 |
| ·氨化温度对合成一维Dy 掺杂GaN 纳米结构的影响 | 第55-63页 |
| ·退火时间对合成一维Dy 掺杂GaN 纳米结构的影响 | 第63-66页 |
| ·Dy 掺杂量对合成一维Dy 掺杂GaN 纳米结构的影响 | 第66-68页 |
| ·Au 催化剂对合成一维Dy 掺杂GaN 纳米结构的影响 | 第68-71页 |
| ·衬底对合成一维Dy 掺杂GaN 纳米结构形貌的影响 | 第71页 |
| 本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 一维Tb 掺杂GaN 纳米结构的研究 | 第72-83页 |
| ·一维Tb 掺GaN 纳米结构的制备 | 第72页 |
| ·一维Tb 掺杂GaN 纳米线的合成 | 第72-78页 |
| ·不同条件对一维Tb 掺杂GaN 结构形貌的影响 | 第78-82页 |
| 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 Au 纳米点阵模板制备一维GaN 纳米结构 | 第83-92页 |
| ·Au 纳米点阵模板合成一维GaN 纳米结构 | 第83-87页 |
| ·不同条件对一维GaN 纳米结构形貌的影响 | 第87-91页 |
| 本章小结 | 第91-92页 |
| 第六章 场控磁控溅射沉积GaN 薄膜 | 第92-103页 |
| ·带电粒子在电磁场中的运动 | 第92-95页 |
| ·外加磁场对磁控溅射薄膜的影响 | 第95-102页 |
| 本章小结 | 第102-103页 |
| 第七章 一维 GaN 纳米结构的生长机制初探 | 第103-112页 |
| ·目前存在的一维纳米结构的生长机制 | 第103-106页 |
| ·缺陷能聚集限制生长理论模型 | 第106-111页 |
| 本章小结 | 第111-112页 |
| 第八章 结论 | 第112-115页 |
| ·本论文的主要研究结果 | 第112-113页 |
| ·对今后工作的建议 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-127页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129页 |
